در این پایاننامه، یک سنسور برای تشخیص گازهای شیمیایی و قابل احتراق nh3 مبتنی بر اکسید گرافن کاهیده (rgo) با ساختار ترانزیستور (mosfet) مدلسازی شده است، اکسید گرافن کاهیده نوید یک حسگر مواد مناسب را میدهد و بر همین اساس خواص مکانیکی، حرارتی و الکتریکی خوبی دارد. در گرافن حرکت الکترونها به شدت بالاست و به راحتی می توانند در دمای اتاق انتقالات را انجام دهند. ساختار دوبعدی هر اتم کربن بروی سطح باعث...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این تحقیق، آلومینای تقویت‌ شده با نانولوله‌های کربنی تک‌جداره و چندجداره با دو درصد وزنی از طریق زینترینگ به کمک قوس پلاسما (SPS) ساخته شدند. جهت ارزیابی کامپوزیت‌ها، آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه ایکس، استحکام خمشی، دانسیته و سختی مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج نشان می‌دهد که نانولوله‌های کربنی چندجداره اثر تقویت‌کنندگی بیشتری بر کامپوزیت نسبت به نانولوله‌های تک‌جداره از خود ...

در کار حاضر، روش مناسبی برای تولید میکروذرات کلسیم تیتانات به روش هیدروترمال بدون نیاز به سورفکتانت و با استفاده از غلظت بالای هیدروکسید پتاسیم به عنوان مینرالایزر گزارش شده است. بررسی‌های فازی و ساختاری به ترتیب با آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف‌سنجی مادون قرمز (FT-IR) تایید کننده تشکیل ترکیب تک فاز کلسیم تیتانات بدون حضور فاز ثانویه پس از 3 ساعت قرارگیری محلول کلوئیدی در اتوکلاو در دمای °C...

بهره‌گیری از رسانایی بالای لایه های نازک، یکی از مهم‌ترین اهداف پروژه‌ها در حوزه کاربرد خواص الکترونیکی مواد گرافن‌دار می باشد. نانوورقه‌های گرافن، صفحه‌های موازی متشکل از چندین لایه گرافن با ضخامت کمتر از 100 nm هستند. در این کار ابتدا مستقیماً نانوورقه‌های گرافن سنتز شده با لیزر با کمک پراکنده ‌ساز تجاری DEKAMOL PES، در یک محیط آبی پراکنده شدند که نتیجه آن تشکیل سلی پایدار بود. در این مرحله سل...

در این پژوهش، نانوذرات مغناطیسی فریت کبالت با استفاده از روش تک مرحله‌ای رسوب‌دهی شیمیایی در دمای اتاق و زمان کمتر از یک ساعت تهیه شد. نانوذرات فریت کبالت با استفاده از نمک‌های کلرید آهن (III)، سولفاتکبالت و عامل رسوب دهنده آمونیوم تهیه شدند. ساختار و توزیع اندازه ذرات و مورفولوژی سطح این نانوذرات با استفاده از پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)...

در این تحقیق لایه های نازک pb با ضخامت های مختلف به روش الکتروانباشت تک حمام و با استفاده از سه الکترود بر روی زیرلایه های مس و طلا تهیه شدند. برای به دست آوردن ولتاژ مناسب انباشت از مطالعه ولتامتر چرخه ای استفاده شد. ضخامت لایه های انباشت شده با استفاده از دستگاه dektak3 اندازه گیری شد. نانوساختار این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و الگوی پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت. ...

در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...