نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدان گرافنی

تعداد نتایج: 158180  

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
ترانه وظیفه شناس هادی رحمانی نژاد محمد براتی

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1392

هنگامی که یک ماده¬ی فروالکتریک تحت اعمال میدان الکتریکی قرار می¬گیرد در ساختار آن تغییرات دما به وجود می¬آید که این پدیده اثر الکتروکالریک نامیده می¬شود. متناظر با این اثر، هنگامی که یک ماده¬ی مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسیِ خارجی قرار می¬گیرددمایش تغییر می¬کند که به این اثر اثر مگنتوکالریک می¬گویند. یکی از کاربردهای این آثار، استفاده از آن¬ها در تولید پمپ حرارتی است. هدف از این تحقیق استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1393

با کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده-اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ و آرمچیر می پردازیم. تراز های انرژی آنها بدست آمده و .نمودار تراز ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه 1391

ما دراین پایان نامه انرژی یک سیستم گرافنی و نانولوله آرم چیر را به کمک روش تندترین کاهش شیب، کمینه کرده ایم. در این بررسی از شبیه سازی مکانیک مولکولی و پتانسیل وسیلی و ترسف استفاده شده است. علت استفاده از این پتانسیل این است که، امروزه برای گرافن فقط مدل میدان نیروی والانس پیشنهاد شده است که برای نانو لوله و فولرن در شکلهای آشفته یا آزاد نیز به کار می رود . ابتدا گرادیان پتانسیل وسیلی و ترسف...

ژورنال: :مجله طب نظامی 0
حسن محبت کار mohabatkar h. of biology, college of sciences, shiraz university, shiraz- iran.شیراز. دانشگاه شیراز. دانشکده علوم. بخش زیست شناسی مرجان قلی زاده gholizadeh m. of biology, college of sciences, shiraz university, shiraz- iran.شیراز. دانشگاه شیراز. دانشکده علوم. بخش زیست شناسی

اثرمیدان های الکترو مغناطیسی بر باکتری ها را از طریق ایجاد منافذی بر روی غشای سیتوپلاسمی اعمال می گردد. از سوی دیگر آنتی بیوتیک های گوناگون دارای اثرات متفاوتی بر باکتری های گوناگون هستند. به علاوه تحقیقات گوناگون نشان داده اند که میدان های الکترومغناطیسی سرعت بهبودی زخم ها را افزایش می دهند.   در تحقیق حاضر ابتدا اثر چهار آنتی بیوتیک جنتامایسین، تتراسیکلین، اریترومایسین و وانکومایسین با استفاد...

غلامرضا مریدی

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

اثرکازیمیر که اولین بار در سال 1948 به شکل نیروی جاذبه بین دو سطح در خلاء، بوسیله "هندریک کازیمیر" پیشبینی شد، در واقع ؛ به دامِ تجربه انداختن واقعیتی فیزیکی به نام "نوسانات خلاء" یا "انرژی نقطه ی صفرِ" مطرح شده در نظریه ی میدان های کوانتومی؛ از طریق قرار دادن شرایط مرزی است. اما اساسی ترین دغدغه در بررسی این اثر، اعمال شرایط هر چه واقعیتردر انجام محاسبات مربوط به آن می باشد؛ چرا که محاسبه ی هرچه...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده فیزیک 1392

چکیده در این پایان نامه ناپایداری رشته¬ای ناشی از برهمکنش باریکه الکترونی نسبیتی با پلاسمای کوانتومی مغناطیده با استفاده از معادلات ماکروسکوپی سیالی سرد مطالعه شده است و فرض کرده¬ایم که بردار موج اختلال بر باریکه¬¬ی الکترونی عمود است. تانسور دی الکتریک و رابطه پاشندگی محاسبه شده و در طیف وسیعی از پارامترها به صورت عددی تجزیه و تحلیل شده¬اندو اثرات ضریب نسبیتی بر نرخ رشد ناپایداری و همچنین بردا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1390

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید