با استفاده از مدل¬سازی اثرات ناشی از نیروی مغز دافعه در برهم¬کنش¬های نوکلئون-نوکلئون از طریق مدل اصلاح شده¬ی واپیچش-دوگانه، به بررسی نقش اثرات معادله حالت ماده¬ی هسته¬ای در طول فرآیند همجوشی کامل دو هسته¬ی برهم¬کنشی پرداخته¬ایم. با توجه به مفهوم دمای هسته¬ی مرکب، مطالعات انجام گرفته در این تحقیق را به دو بخش اثرات اصلاحی ماده¬ی هسته¬ای سرد (0 = t) و گرم (0 ? t) تقسیم¬بندی نموده¬ایم. تحقیقات ما ...

شرایط امروزی حاکم بر جامعه و اقبال عمومی ساخت وساز به سمت استفاده از اسکلت فلزی در قیاس با اسکلت بتن مسلح به دلیل تسریع در روند ساخت، این موضوع را به ذهن متبادر می نماید که بهره گیری از سیستم های ترکیبی مقاوم سازی ساختمان های بتن مسلح در ساختمان های اسکلت فلزی می تواند مزایای متعددی را جهت رفتار لرزه ای اینگونه سازه ها تامین نماید. از آنجایی که تاکنون عمدتا قابهای ساختمانی بتن آرمه با استفاده ا...

با پیشرفت صنعت الکترونیک، دانشمندان به فکر کوچک کردن قطعات افتادن تا بتوانند تعداد زیادتری ترانزیستور و دیود و سایر المان های مدار را در یک تراشه با ابعاد ثابت قرار دهند. تلاش های آن ها در طی سالیان اخیر منجر به ساخت پردازنده های پیچیده تر و قدرتمندتری شده است. در این میان سوالی پیش می آید که این کوچک کردن قطعات تا چه اندازه ای می تواند پیش رود. برای بررسی این موضوع اتصال فلز به نیمرسانا را انت...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...