نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی تونلزنی
تعداد نتایج: 4343 فیلتر نتایج به سال:
دراین رساله مختصری در رابطه با فناوری نانو و کاربردهای آن پرداخته شده است. سپس ساختار اتم کربن و پیوندهای بین اتمهای آن و بویژه گرافیت، گرافن و نانولوله کربنی اعم از رسانا و نیمه رسانا که با تغییر کایرالیته بوجود می آیند و ترازهای انرژی، چگالی حالت و چگونگی ساخت نیمه هادی نوع n و p با نانولوله کربن پرداخته شده است. در ادامه ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولوله کربن از دو نوع سد شاتکی و شبه mo...
در این مقاله به بررسی ارتعاشات آزاد نانولوله کربنی تک جداره و نیز پاسخ دینامیکی آن به ذره متحرک پرداخته شده است. از مدل پوسته استوانه ای غیرمحلی با در نظرگرفتن فرضیه تغییر شکل مرتبه اول برشی برای مدل سازی نانولوله کربنی روی تکیه گاه ساده استفاده شده است. پس از حل معادلات، نتایج با نتایج حاصل از شبیه سازی نانولوله در نرم افزار اجزای محدود مقایسه شده و تطابق بسیار بالایی میان نتایج وجود دارد. در ...
زمینه و هدف: فنل و ترکیبات فنلی در فاضلاب صنایع جزء آلاینده های دارای تقدم هستند. هزینه بالا و کارایی پایین برخی از فرایندهای تصفیه متداول فاضلاب های صنعتی محدودیت هایی را بوجود آورده است. یکی از روش های مورد توجه فرایند جذب توسط نانولوله های کربنی به عنوان یک روش نوین است. این مطالعه با هدف بررسی کاربرد نانولوله کربنی چند جداره پوشیده شده با آلومینا در حذف فنل از محلول های آبی انجام شد. روش بر...
. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...
در فصل اول به بررسی مطالب مربوط به شناخت نانولوله های کربنی و مفاهیم اولیه نانو لوله ها پرداخته شده است. در این بخش با انواع نانولوله ها و بردارهای پایه و باندهای الکتریکی نانولوله های کربنی آشنا شده و در ادامه انواع روش های ساخت از جمله روش به کار گرفته شده در این پایان نامه آورده شده در انتها خواص مختلف نانولوله ها و همچنین کاربرد آنها به عنوان انگیزه اصلی پایان نامه بیان شده است. در فصل دوم ...
چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...
بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید در کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...
Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs), are considered as a proper candidate to improve the silicon transistor performance at short channel regime. In this paper a novel CNTFET with lightly doped channel and dual section dielectric (LIC-DSD-CNTFET) is proposed. This structure is compared with conventional (C-CNTFET) and dual section dielectric (DSD) structures with similar dimension...
هدف از این پژوهش، دستیابی به یک نانو کاتالیست بر پایه ی نانولوله های کربنی با میزان فعالیت و گزینش پذیری بالا به منظور تبدیل آلاینده ی نیتروژن اکسید به مواد بی خطر نیتروژن و بخار آب است. نخست نانولوله ها با استفاده از روش اسیدی، عامل دار شده و با آزمون های xrd ،tem ،ftir ،asap و tga بررسی شدند. سپس کاتالیست های 12 درصد وزنی منگنز اکسید بر پایه ی نانولوله های کربنی چند دیواره عامل دار شده/ نشده ...
در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید