نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای ldmos

تعداد نتایج: 449  

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
علی بهاری a. bahari department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری شهمیری m. roodbari shahmiri department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر نورالدین - میرنیا n. mirnia department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی 1389

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

2013
S. Shahabuddin Y. Abdul Wahab H. Hussin

The reliability characterization in shallow trench isolation (STI) based n-channel lateral diffused metal– oxide–semiconductor (LDMOS) transistor has recently drawn much attention. A thorough investigation of the hot carrier degradation under various gate and drain stress biases are carried out to gain an insight on the bias dependences of the parameter drifts. The findings are supported by bot...

Journal: :Microelectronics Reliability 2006
M. A. Belaïd K. Ketata Mohamed Masmoudi M. Gares Hichame Maanane Jérôme Marcon

This paper reports novel methods for accelerated ageing tests, with comparative reliability between them for stresses applied on power RF LDMOS: Thermal Shock Tests (TST), Thermal Cycling Tests (TCT), High Voltage Drain (HVD) and coupling thermal and electrical effects under various conditions. The investigation findings obtained after various ageing tests show the degradation and the device’s ...

Journal: :IEEE Journal of the Electron Devices Society 2021

A simple modification to the lateral DMOS is demonstrated, enabling a significant extension electrical safe operating region. This approach uses novel Hybrid Source suppress parasitic bipolar, prevent snapback and enable operation at high drain voltage & current regions that have traditionally been inaccessible due triggering of bipolar. Trigger currents exceeding 10x conventional PN source...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید