میـکرو/نانـو رباتیـک یا منیپولیشـن نانو ذرات توسـط afm (میکروسـکوپ نیرویـی اتـمی) یکی از راهکارهای مهم برای جابجایی کنتـرل شده ی اتم ها و مولکـول ها و مونتـاژ آنها جهـت ساخـت ابزارهای میکرو/نانو متری مـی باشد. مدل سـازی دقیق منیپولیشـن مسـتلزم شناسایی کامل نیـروهای وارد بر سیستم و نیازمند دانش مکانیـک در مقیـاس نانو است که متـفاوت از دنیای ماکرو اســت. به دلیـل اهمیـت نیروهای چسـبندگی در مقیاس ...

چکیده ندارد.

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

‏ما در این پایان نامه ابتدا فرآیند تصادفی را معرفی می کنیم‏، سپس به بیان آنتروپی متری و توپولوژیکی فرآیندهای تصادفی حالت متناهی می پردازیم. به علاوه اگر فضای حالت مجموعه ای مرتب باشد‏، آن گاه آنتروپی متری و توپولوژیکی جایگشتی را بیان نموده و به مقایسه ی آن ها با هم می پردازیم.در واقع آنتروپی به عنوان میانگین عدم قطعیت مربوط به متغیر تصادفی یا آزمایش تصادفی تفسیر می شود. در انتها ثابت می کنیم که...

فضای مترپذیر x را یک توسیع متری فضای مترپذیر y می نامیم هرگاه x در y چگال باشد. در این پایان نامه یک نگاشت یک به یک و ترتیب برگردان از مجوعه توسیع های متری تک نقطه ای فضای مترپذیر نافشرده و موضعا فشرده x به فضای صفر-مجموعه های باقیمانده استون-چک x تعریف می کنیم.

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

موجکها و موجکهای دندانه ای در یک فضای هیلبرت و توسیع پایه های ریز برای یک عملگر یکانی از بحث های اصلی این رساله می باشد.

چکیده ندارد.