استعاره نه تنها ابزاری زبان شناختی به منظور افزودن جاذبه به متن است، بلکه یکی از ویژگیهای مهم تفکر و آموزش نیز میباشد (جنسن، 2006). در همین راستا، کووکسس (2002) به نقش مهم استعاره در فهم و تفکر بشری و ایجاد حقیقت اجتماعی، فرهنگی، و روانشناسی اعتقاد دارد. با این وجود با نگاهی دقیق تر، آموزش زبان دوم علاقه ی مربیان این زبان را به فهم تفاوت های فراگیران جلب نموده است. یکی از این موارد تلاش در راست...

استفاده از سیستم­های مختلف خاک ورزی پس از تغییر غیراصولی کاربری اراضی سبب تسریع تجزیه ماده ­آلی خاک می شود. این پژوهش با هدف بررسی اثر تغییر کاربری اراضی جنگلی به مرتع و زمین­های کشاورزی بر کربن­ آلی، نیتروژن کل و شکل­های معدنی نیتروژن (نیترات و آمونیوم) انجام شد. بدین منظور از کاربری ­های جنگلی و تغییریافته به مرتع، باغ و زراعت منطقه پردانان پیرانشهر، 40 نمونه خاک از لایه سطحی صفر تا 15 سانتی­...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این بررسی اثر ماده آلی بر سینتیک تثبیت فسفر در چهار خاک مختلف مطالعه گردید. برای این کار خاک ها با سطوح متفاوت کود دامی تیمار و به مدت دو ماه در اینکوبیتور نگهداری گردیدند. سپس خاک ها با k2hpo4 به میزان mg p/kg45 تیمار و در اینکوبیتور در دمای 25 درجه سلسیوس به مدت 100 روز نگهداری شدند. در زمان-های صفر، 1، 5، 20، 50 و 100 روز از خاک ها نمونه گیری و olsen-p آن ها اندازه گیری شد. نتایج نشان داد...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

نانوساختارهای نیمه رسانای تیتاناتی به دلیل دارا بودن خواص دی الکتریکی، پیزوالکتریک و همچنین جنبه های کاربردی آنها در حسگرهای شیمیایی، ترانزیستورهای اثر میدانی توجه زیادی را به خود معطوف نموده اند. یکی از موضوعات اصلی نانومواد که نقش اصلی را در پروژه های انجام شده در این زمینه ایفا می کنند، کنترل مورفولوژی ذرات در فرآیند سنتز آنها است. در این پروژه، نانوساختارهای کبالت، نیکل، روی، سرب و کادمیوم ...

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این تحقیق، اثر باز دارندگی 3 گروه متفاوت از بازهای شیف ((تیو بازهای شیف (گروه i)، بازهای شیف بیس (n، s دو دندانه¬ای) (گروه ii) و بازهای شیف n،n بیس (سالیسیلیدین)- آریل متان ها ( گروه iii)) بر روی خوردگی استیل در محلول هیدروکلریک اسید به روش¬های الکتروشیمیایی (پلاریزاسیون و طیف بینی الکتروشیمی امپدانس ) و روش کلاسیک کاهش وزن مطالعه شد. در گروه i اثر بازدارندگی سه تیو باز شیف (ia، ib و ic) روی...