در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

در سال های اخیر سنتز نانو مواد هیبریدی آلی-معدنی به طور چشم گیری مورد مطالعه قرار گرفته اند. این مواد قابلیت لازم را در ممانعت از جریان نشتی و تونلی در محفظه های فراخلأ، گیت های حسگرهای الکتروشیمیایی دارویی و تراشه های الکترونیکی دارند علاوه بر آن مواد دی الکتریک هیبریدی می-توانند به عنوان یک سد دی الکتریک کنترلی در قطعات نانو ترانزیستورها و حافظه های ذخیره کننده رایانه ای و تلفن همراه نیز استف...

نیروی کازیمیر بین دو تیغه ی دی الکتریک را می توان به کمک عملگرهای میدان الکترومغناطیسی، با توجه به اختلاف فشار تابشی خلأ وارد بر دو سطح هر تیغه محاسبه کرد. برای کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه ی دی الکتریک موازی، از روش تابع گرین استفاده می شود. همچنین با به کار بردن قضیه ی اتلاف-افت و خیز نیز نیروی کازیمیر قابل محاسبه است. سادگی رهیافت اخیر به هر کس این امکان را می دهد که نی...

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (SPR) با استفاده از نظریه‌ی مای و نرم افزار FDTD مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می‌شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه‌جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می‌شود. هم‌ چنی...

در این پایان نامه، برای توصیف اثر محیط دی الکتریک بر حالت های کوانتومی فرودی بر آن، ابتدا کوانتش امواج الکترومغناطیسی را در محیط های دی الکتریک پاشنده و جاذب بررسی می کنیم. به طور کلی کوانتش امواج الکترومغناطیسی را می توان به دو رهیافت لاگرانژی و پدیده شناختی دسته بندی کرد. در این جا با بهره گیری از کوانتش امواج الکترومغناطیسی به روش لاگرانژی، اثرات محیط تیغه ی د ی الکتریک پاشنده و جاذب را روی ...

روش انتگرال کانتور چندمدی یکی از روشهای تحلیل و طراحی مدارهای موجبری صفحهh- است. این روش تأثیر مدهای مرتبه بالاتر غیرانتشاری را که به دلیل وجود ناپیوستگی در ساختار موجبری ایجاد شده و در نزدیکی ناپیوستگی انرژی قابل ملاحظه ای دارند، در نظر می گیرد. این ویژگی موجب بالا رفتن دقت روش در تحلیل و یا طراحی مدارهای موجبری با ساختار پیچیده می شود. در این مقاله قصد داریم از توانمندی این روش در شناسایی خو...