در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی xrd با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزوحفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزوحفره ای آن شده است. الگوی xrd با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏اکسید قبل و بعد ا...

در این پژوهش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه‌ی انتقال دهنده الکترون نظیر: SnO2 و ZnO. مورد شبیه سازی و مقایسه قرار گرفته است. بدین منظور از نرم افزار شبیه‌سازی AMPS-1D که دارای قابلیت تعیین مشخصه جریان-ولتاژ ، بازده کوانتمی و تعیین ضخامت لایه‌ها است استفاده شد. تاثیر ضخامت لایه‌ی جاذب پروسکایت، لایه های انتقال دهنده‌ی الکترون، غلظت ناخالصی لایه‌های انتقال دهنده‌ی الکترون و دما ...

در این پایان نامه، نانوساختارهای لایه نازک و نانوذرات اکسید مس با ناخالصی آهن، به ترتیب به روش-های شیمیایی اسپری پایرولیزیز و سل-ژل در دمای ثابت c° 400 تهیه شدند و اثر افزایش ناخالصی آهن با درصدهای مختلف (15/0، 10/0، 05/0) ، روی ویژگیه ای ساختاری، اپتیکی و ضدباکتری اکسید مس بررسی شد. طرح پراش پرتو x به دست آمده از نانوذرات و لایه های نازک، حضور فاز تک میلی اکسید مس را تائید می کند. تصاویر temنش...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با وانادیوم (sno2:v) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایههای شیشه ای تهیه شده است. تاثیر ناخالصی وانادیوم بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک sno 2 بررسی شد. نسبت های اتمی وانادیوم به قلع ([v]/[sn]) از 0 تا 20 تغییر داده شد. نتایج آنالیز xrd تشکیل ساختار بس بلور تتراگونال sno2 را نشان داد. کمترین مقاومت ...

چکیده در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکتریکی و ساختاری نمونه های حجمی بس بلور ولایه نازک ترکیب منگنایت la0.85ca0.15mno3 مورد بررسی قرار گرفته اند. نمونه اولیه به روش سل ژل تهیه شد و سپس نمونه ها در دو دمای 1150 و 1350 درجه سانتی گراد کلوخه سازی شدند. خواص مغناطیسی نمونه های کپه ای توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب ( مولفه حقیقی و موهومی ) مورد بررسی قرار گرفت. پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها در ...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

چکیده : در ساخت لایه های نازک در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است ، که خود ناشی از پیشرفت در فناوری خلاء، تولید میکروسکوپ های الکترونی و ساخت وسایل دقیق و پیجیده ی شناسایی مواد است. مطرح شدن مباحثی نظیر میکرو الکترونیک، اپتیک و نانو فناوری مدیون اهمیت پوشش لایه های نازک می باشد. با توجه به عملکرد و خواص لایه های نازک ، می توان از آن ها مخصوصاً جهت بهبود فناوری هایی ، نظیر سلول های خ...

در سالهای اخیر تحقیقات بنیادی و کاربردی روی نانوساختارهای نیمرسانا به دلیل اثرات اندازه کوانتومی و مورفولوژی خاص به شدت مورد توجه قرار گرفته است. خواص فیزیکی و شیمیایی بسیار متنوع اکسیدهای فلزی، این مواد را برای پژوهش‏های بنیادی و نیز کاربردهای صنعتی جذاب ساخته است. این اکسیدها گستره وسیع خواص الکتریکی از عایق‏ها با گاف نواری پهن تا فلزی و ابررسانایی را در بر می‏گیرند. فیزیک لایه نازک یکی از شا...