در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در دهه گذشته با توجه به توسعه سیستم¬های مایکروویو بی¬سیم، نیاز مبرمی به سیستم¬های مخابراتی با توان مصرفی کـم و ‫کارایی بالا ایجاد شده است. استفاده از محیط¬هـای ‫انتقال موج عایق مانند dielectric image line کاهش تلفات در فرکانس¬های بالا را به همراه دارد. همچنین تشدید کننده¬های عایقی به¬عنوان تشعشع¬کننده امواج الکترومغناطیس دارای تلفات کم در فرکانس¬هـای مـایکروویو هستند که با توجه به حذف تلفات هاد...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

در این مقاله، نانوذرات فریت اسپینلی استرانسیوم (SrFe2O4) به‌روش سل-ژل تهیه گردید. هم‌چنین به‌منظور بررسی تأثیر زمان پخت بر روی خواص ساختاری، مغناطیسی و دی‌الکتریکی نانوذرات فریت اسپینلی استرانسیوم ، ابتدا ژلی از نیترات‌های فلزی با نسبت مولی مشخص تهیه و سپس پودر حاصل در دمای °C700 در زمان‌های مختلف پخت گردید. نتایج حاصل از الگوهای پراش اشعة x، نشان‌دهندة تشکیل فاز اصلی فریت اسپینلی استرانسیوم با...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

دی اکسیدهای گروه iva (sio2, geo2, sno2, pbo2) ازگاف نواری پهن و ثابت دی الکتریک بالایی برخوردارند. این مواد به دلیل ویژگی های شیمیایی، مکانیکی و خواص دمای بالای برجسته ای که دارند همواره مورد توجه بوده اند. این ترکیبات همچنین از نقطه نظر ژئوفیزیکی مهم هستند و خواص الکترونی¬شان به طور وسیعی از عایق به فلز تغییر می کند. در این مطالعه نظر به اهمیت و کاربرد اکسیدهای کووالانسی در صنایع و بالا بودن ش...

کوردیریت و کامپوزیت های پایه کوردیریتی در سال های اخیر اهمیتی بسیاری یافته اند. استفاده از مواد کوردیریتی در کاربرد هایی که هدایت حرارتی بالا، ضریب دی الکتریک پایین، استحکام نسبی در دمای بالا و ضریب انبساط حرارتی مناسب مشخصه اصلی آن ها هستند، سبب شده است که کامپوزیت های پایه کوردیریتی نیز مورد توجه قرار گیرند. نیتریدآلومینیوم نیز به عنوان یکی از مهم ترین تقویت کننده هایی است که در بحث کامپوزیت ...

در این تحقیق، پودر نانو ساختار تنگستن کارباید با استفاده از فرایند تخلیه الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترود تنگستنی و گرافیتی غوطه ور در دو دی الکتریک نفت سفید و آب دی یونیزه، تولید و اثر پارامترهای ورودی فرایند(جریان و زمان روشنی پالس) بر روی نرخ تولید پودر، ساختار، فازها، خصوصیات مورفولوژیکی، توزیع اندازه و شکل نانو ذرات توسط تست های xrd ، tem ، psa و sem مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. نت...

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

در این تحقیق نانو لوله های کربنی بر پایه محلول های نمکی ni(no3)2.6h2o و co(no3)2.6h2o، با نسبت های مختلف به روش نشست شیمیایی بخار(cvd) سنتز شدند. پس از خالص سازی ، نمونه های مورد نظر، به کمک پراش اشعه ایکس و تصویرمیکروسکوپ الکترونی مشخصه یابی شدند. پس از تأیید رشد نانو لوله های کربنی ، نمونه ای که بر پایه کاتالیست ni(no3)2.6h2o سنتز شده بود را با درصد های وزنی مختلف با پودر عایق برمید پتاسیم مخ...