نتایج جستجو برای: ابزار نیم رسانا

تعداد نتایج: 60588  

پایان نامه :پژوهشگاه دانشهای بنیادی (مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات) - پژوهشکده فیزیک 1393

در این رساله ساختار الکترونیکی و ترابردی الکترونی سیستم های دو بعدی جدید را در حضور ناکاملی هایی همچون کرنش و بی نظمی بررسی نموده ایم. این رساله شامل نه فصل می باشد. فصل اول مقدمه ای ست که ساختار کلی رساله را نشان می دهد. فصل دوم مقدمه ای بر خواص عمومی گرافین و دی کلکوجناید فلزات واسطه را شامل می شود. در فصل سوم پس از ارائه یک بازنگری کلی بر نظریه الاستیسیته و اثر کرنش بر خواص الکترونیکی گرافین...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1393

در این پایاننامه ابتدا در فصل اول توضیحاتی در مورد ساختار گرافن، کاربردهای آن، مزیت های فراوان آن نسبت به سایر مواد، و همچنین اشاره ای در مورد اصول و ادوات فتوولتائیک ارائه کرده ایم، در فصل دوم مبانی و روش های پژوهش را شرح داده و با معادلات حاکم بر فتوولتائیک آشنا شده ایم و همچنین مدل سازی های لازم برای انجام پروژه را مرور کرده ایم و در نهایت در فصل سوم ابتدا با استفاده از شبیه ساز سیلواکو، سلو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم 1388

یکی از زمینه های مورد علاقه در اسپینترونیک، تزریق جریان اسپینی از یک ماده ی فرومغناطیس به درون نیم رسانا است. یکی از راه های افزایش کارآیی ابزارهای اسپینترونیکی، به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند؛ نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100% در تراز فرمی، گزینه مناسبی برای این منظور هستند. از آن جا که اثرات مرز مشترک، می تواند درجه ی قطبش اسپین...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :0 1381

در این پایان نامه سعی شده است برخی از خواص الکترونیکی ساختار ‏‎si/ge‎‏ به صورت نظری محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه گردد. تکنیک به کار رفته در این محاسبات استفاده از روش خودسازگار و نظریه تابعی چگالی در چارچوب شبه پتانسیلهای ابتدا به ساکن می باشد.

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1388

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1388

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم 1393

نقاط کوانتومی که نانوکریستال نیز نامیده می¬شوند، نیمه هادی¬هایی هستند که دارای ساختار کریستالی و کلوئیدی در ابعاد نانومتر بوده و به واسطه خواص نشر نوری منحصر به فردشان به عنوان یک ردیاب یا کاوشگر جدید بسیار مورد توجه قرار گرفته¬اند. مطالعه واکنش¬های نورتابی شیمیایی، در سال¬های قبل، تنها به سیستم¬های مولکولی محدود بود. اما در سال¬های اخیر، توجه زیادی به استفاده از سیستم¬های نانو به منظور بهبود ح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی شهاب دانش - دانشکده برق 1392

یکی از ویژگی های اساسی مواد هادی مقاومت الکتریکی آن هاست که با داشتن تعداد الکترونهای آزاد لایه ظرفیت می توان مقاومت الکتریکی آن ماده را پیدا نمود. با اندازه گیری مقاومت الکتریکی مواد می توان ویژگیها و مشخصات ماده را تعیین نمود. در این پایان نامه بنا داریم به اندازه گیری مقاومت الکتریکی با استفاده چهار پراب همراستا با فاصله ثابت از هم که در تماس با سطح یک ویفر سیلیکونی هستند اقدام کنیم. در عم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1393

در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب hgse در دو حالت بالک و نانو مورد محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل(fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی(dft) و تقریب gga با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام گرفته است. ترکیب hgse بررسی شده در این پایان نامه دارای ساختار بلندروی و ثابت شبکه ی 6.2780=a آنگستروم می باشد. در این پروژه خوا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید