مقدمه: با ‌ استفاده از نانو ‌ ذرات نقره با خاصیت اپتیکی منحصر ‌ به ‌ فرد و قابل تنظیم، نانوحسگرهای زیستی طراحی و ساخته می­شوند. در این مقاله یک نانو ‌ پوستۀ کروی دو ‌ لایه شامل دی ‌ الکتریک و نقره بر ‌ اساس تشدید پلاسمون سطحی به ‌ عنوان حسگری زیستی معرفی شده است.   روش بررسی: با تاباندن نور بر نانو ‌ پوستۀ کروی، بر ‌ اثر بر ‌ همکنش قوی بین پلاسمون­های سطحی پوسته و حفرۀ داخلی کره، طیف جذبی ش...

چکیده ندارد.

در این تحقیق شیشه-سرامیک ها ی ولاستونیت و کامپوزیت های حاوی 80 درصد وزنی پودر شیشه و20 درصد وزنی جزء دوم (tio2 و یا al2o3) از طریق سینتر بدون فشار تهیه شدند. ابتدا نمونه های تهیه شده از پودرهای شیشه در سیستم i (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao25/27- sio268/59) و ii (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao61/34- sio231/52) (بر حسب درصد وزنی) در محدوده دمایی c?900-720 عملیات حرارتی شده و سپس اثر افزای...

در پژوهش حاضر، سنتز، بررسی رفتار سینتر با استفاده از روش های مختلف (کوره معمولی و گرمادهی مایکروویو) و ویژگی های مایکروویو دی الکتریک سرامیک های znnb2o6 در حضور tio2 مورد مطالعه قرار گرفت. از zno، nb2o5 و tio2 میکرون و نانو به عنوان مواد اولیه استفاده شد. ابتدا نانوپودر znnb2o6 با استفاده از آسیاب پرانرژی مخلوط پودرهای zno و nb2o5 به مدت 20 ساعت و عملیات حرارتی با استفاده از کوره معمولی و گرماد...

ارسال پالسهایی که طیف فرکانسی آنها شامل فرکانس های پایین باشد، در رادارهایی که برای اکتشاف مورد استفاده قرار می گیرند بسیار مورد توجه است، زیرا عمق پوستی برای فرکانس های پایین زیاد است. یکی از راههای کوچک کردن ابعاد یک آنتن برای تشعشع فرکانس های پایین استفاده از ایده آنتن ترکیبی است. در این گزارش ابتدا روش گام به گام طراحی یک آنتن ترکیبی پهن باند ارائه خواهد شد. این آنتن، ترکیبی از آنتن tem ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...

در این پایان نامه قصد داریم میدان الکترومغناطیسی را در حضور تیغه دی الکتریک پاشنده اتلافی که توسط

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

در این پایان¬نامه با استفاده از بلورهای فوتونی، نحوه طراحی و دست¬یابی به یکی از اساسی¬ترین جزء مدارهای مجتمع نوری یعنی موجبر بلورفوتونی با خم¬های مختلف بررسی شده است. هدف از این طراحی¬ها، دستیابی به موجبر فوتونی با ضریب انتقال بالا و پهنای باند بزرگ در خم¬های مختلف است. برای کاهش بازتاب¬های برگشتی و پراکندگی به کمترین مقدار، عوامل ایجاد تلفات، و تلاش برای از بین بردن این نقص¬ها در ساختارهای مخت...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...