آرایه آنتن های بازتابنده به دلیل ترکیب برخی از بهترین خصوصیات آنتن های رفلکتوری و آرایه ای با یکدیگر، سال هاست که مورد توجه ویژه ای قرار گرفته اند. این آنتن ها به دلیل استفاده از تکنولوژی میکرواستریپ، آنتن هایی ارزان، کوچک و سبک هستند. در این پایان نامه نگاه نسبتاً جامعی به عملکرد آرایه آنتن های بازتابنده شده است. پس از توضیحاتی مقدماتی در ارتباط با عملکرد این آنتن ها روش های مختلف محاسبه ی فاز ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

در دهه های اخیر ارتباطات بی سیم گسترش فراوانی پیدا کرده اند و در این میان استفاده از آنتن های تشدیدکننده عایقی در انواع و اشکال مختلف رواج پیدا کرده است. آنتن هایی با توان مصرفی کم، چند کاربره، مولتی باند و ابعاد کوچک که قابل استفاده در مخابرات بی سیم می باشند، همچنین این آنتن ها به دلیل داشتن شکل های متفاوت آنتن و روشهای مختلف تغذیه قابلیت های بالایی در صنعت ارتباطات دارند. یکی از رایج ترین شک...

آنتن های مدار چاپی با بهره های بالا کاربردهای وسیعی در سیستم های نظامی و تجاری دارند ولی بهره این نوع آنتن ها محدود به 6-7 دسیبل می باشد. هدف این پایان نامه افزایش بهره آنتن های مدار چاپی مایکرواستریپ با استفاده از ساختارهای متامتریال است. ابتدا یک ساختار ساده که شامل دو حلقه فلزی چاپ شده در دو طرف یک زیر لایه دی الکتریکی است، برای تحقق ساختاری صفحه ای با ضریب شکست صفر پیشنهاد می شود. در مرحله ...

هدف از انجام این پایان نامه، طراحی، شبیه سازی و ساخت یک آنتن آرایه فازی کوچک وکم هزینه است. برای کوچک شدن اندازه کلی آنتن آرایه فازی، محدودیت ابعاد در طراحی هر یک از قسمت های اصلی آن (شامل عناصر آنتن، شیفت دهنده های فازی و شبکه تغذیه) لحاظ شده است. در طراحی عناصر آنتن توجه زیادی به کاهش مقدار تزویج متقابل بین عناصر شده است و برای تحقق این منظور، از عناصر آنتن طراحی شده بر اساس سلول واحد ترکیبی ...

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (SPR) با استفاده از نظریه‌ی مای و نرم افزار FDTD مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می‌شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه‌جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می‌شود. هم‌ چنی...