در این پژوهش نمونه های اکسترود شده آلیاژهای منیزیم am60 وaz80 تحت فرآیند تغییر شکل در کانال های زاویه دار با سطح مقطع یکنواخت (ecap) با تعداد عبور های مختلف قرار گرفته و سپس تأثیر این فرآیند بر روی ریزساختار و خواص مکانیکی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. پس از انجام این فرآیند، ساختار دانه بندی این آلیاژها بسیار ریز شده به طوری که پس از عبور ششم ecap اندازه دانه برای آلیاژ am60 از 2/19 میکرومتر...

در ایـن پژوهـش به منظور بررسی رفتـار تغیـیـر شکـل سوپرپلاستیـک آلیـاژ آمـورف تـوده ای ?zr?_55 cu_30 al_10 ni_5 از آزمون فشار در دمای بالا استفاده شد. به منظور مطالعه ی اثرات دما بر روی آلیاژ آمورف توده ای فوق، نمونه ها در نرخ کرنش ثابت ?10?^(-4) s^(-1) در دماهای 392، 412 و432 درجه ی سانتیگراد و در نزدیکی دمای شیشه ای شدن مورد مطالعه قرار گرفتند. سپـس به منظور مطالعه ی اثرات نرخ کرنش، نمونه ها د...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

در میان مواد هوشمند، آلیاژهای حافظه دار به دلیل ایجاد کرنش های زیاد و رفتارهای ویژ? خود، همواره مورد توجه پژوهشگران بوده و تلاش های زیادی برای مدل کردن رفتار این مواد صورت گرفته است. شاخه ای از این مواد که به تازگی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است، علاوه بر رفتارهای متداول آلیاژهای حافظه دار قادر به ایجاد کرنش در میدان مغاطیسی می باشد. به این مواد آلیاژهای حافظه دار فرومغناطیس می گویند. تاکنو...

در تحقیق حاضر علاوه بر نانوکریستوبالیت، سیلیس آمورف اصلاح شده، سیلیس آمورف نانوذره و یک نمونه سیلیس میکرونیزه (کوارتز) به عنوان پرکننده مورد آزمایش قرارگرفت. دانه‌بندی همه پرکننده‌ها به غیر از کوارتز کمتر از 100 نانومتر انتخاب شد. برای تهیه کریستوبالیت، سیلیس آمورف در دماهای مختلف حرارت داده شد. برای شناسایی فاز کریستوبالیت از XRD استفاده گردید. نتیجه آنالیز فازی سیلیس آمورف در C˚ 1470 بیانگر ح...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی ...

در این تحقیق، آلیاژ جدید مغناطیسی نرم co40fe22ta8b30 به صورت شیشه ای حجیم و با پایداری حرارتی بالاتر و قطر بزرگتر نسبت به بسیاری از آلیاژ های حجیم پایه (co,fe) با روش متالورژی پودر ساخته شد. همچنین، کامپوزیت های مغناطیسی نرم جدیدی بر پایه پودرهای شیشه ای آلیاژ co40fe22ta8b30پوشش داده شده با رزین سیلیکون، جهت بهبود خواص مغناطیسی در محدوده فرکانس های بالا تولید شدند. به منظور تولید پودر های شیشه ...

هدف از تحقیق حاضر بررسی اثر پارامترهای فرآیند انجمادسریع نظیر فوق ذوب و سرعت چرخ تبریدی و همچنین تاثیر عناصر آلیاژی al(5/1 درصد اتمی ) و ge (1درصد اتمی ) بر ریز ساختار، خواص مغناطیسی و سینتیک فرآیند تبلور سیستم آلیاژی fe si-b-nb-cu بوده است بر همین اساس آلیاژهایی با ترکیب fe si-b-nb-cu و همچننی fe si-b-nb-cu تهیه و با استفاده از فرآیند انجمادسریع و به وسیله دستگاه چرخ مذاب در شرایط مختلف از ف...