در این مقاله، مرحله‌های انتخاب بلور، آماده‌سازی نمونه‌ها و نحوه‌ی ایجاد اتصال‌های شوتکی و اهمی برای ساخت آشکارساز CdZnT یا CZT قابل حمل و با قابلیت کار در دمای اتاق ارایه شده است. ابتدا درصد عناصر و اندازه‌های بلور CdZnTe با کد C4MCNP تعیین و تأثیر آن‌ها بر رفتار الکتریکی و آشکارسازی قطعه بررسی شد. پس از تهیه‌ی بلور، سطح بلور به روش شیمیایی آماده و فعال‌سازی شد. در طرف صاف‌تر سطح بلور، فلز طلا ...

در میان مواد مطرح در حوزه‌ی فتوولتائیک،ترکیب کالکوپیریتی C‏uInS2 با گاف انرژی مستقیمeV53/1، ضریب جذب بالاوپایداری در دراز مدت، به عنوان یک ماده‌ امید‌بخش مطرح شده است. یکی از پارامتر‌های محدودکننده‌ی تولید انبوه این سلول‌ها، کمیاب بودن عنصر Inاست که لازم است با عناصر دیگر جایگزین شود.از طرف دیگر سلول‌های خورشیدی تک اتصال بهینه، دارای گاف انرژی در محدوده‌ی e‏V3/1-1 معادل طول موجnm1250-950هستند. ...

کاربرد تابش گاما به‌عنوان عامل سنتز پرتوی نانوذرات نقره و پیوند همزمان آن ذرات به سطوح پلی‌پروپیلنی در اصلاح عملکرد سیستم تهیه آب بدون یون، پروژه تجربی نوینی است. در این پروژه، استفاده از تأثیر پرتو گاما بر روی سطح نوع خاصی از فیلتر، موجب احیای یون‌های نقره و اصلاح سطح فیلتر به‌طور همزمان گردید. سپس، اثر فیلتر اصلاح شده بر عملکرد سیستم‌های تهیه آب بدون یون، که به‌طور مستقیم و غیر‌مستقیم با فن‌آ...

آلومینیم به سبب داشتن ظرفیت جریان تئوری نسبتاً بالا(a.hr/kg 2980) از یک طرف و چگالی و قیمت مناسب از طرف دیگر، یک ماده مفید برای ساخت آندهای گالوانیکی یا فداشونده به شمار می رود. با وجود این، در اثر واکنش های خوردگی معمولاًروی سطح آلومینیم خالص، یک لایه اکسیدی محافظ ایجاد می شود که منجر به کاهش پتانسیل مدار بسته آن در آب دریا می گردد و بدین ترتیب قابلیت آن برای حفاظت کاتدی سازه های فولادی از دست م...

Thin films Indium tin oxide (ITO) with various thicknesses, from 130-620nm, have been deposited on the thin glass substrates by RF sputtering using ITO ceramic (90% wt. In2O3 and 10% wt. SnO2) target, and subsequently annealed in vacuum at various temperatures. Electrical and optical characteristics of ITO samples, before and after annealing at different temperatures, were investigated by four ...

اکسید کادمیم در سلولهای فتوولتانیک-حسگرهای گازی و بعنوان نیم رسانا در صنایع الکترونیک کاربرد داشته وخواص کاتالیستی خوبی از خود نشان می دهد. اکسید کادمیم یک نیم رسانای نوعn است که حتی در غیاب عناصر دوپه شونده هدایت الکتریکی بالا نشان می دهد. تعداد زیادی از کریستالهای اکسید کادمیم در مورفولوژی های متفاوت از قبیل نانو سیم -نانو میله-سنتز شده اند.مطالعات نشان داده است که دوپه کردن اکسید کادمیم با ب...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید ایندییم با داشتن گاف انرژی به اندازه ev 24/3 یک اکسید نیم رسانای شفّاف است. افزودن آلاینده کروم به آن باعث شد که این ترکیب نیم رسانای نوع شود و گاف انرژی به اندازه ی ev 01/4 تغییر پیدا کند و برای آلاینده روی، نوع و گاف انرژی ev 29/3 شود. ضرایب شکست استاتیکی و برابر 2 و برابر 9365/1 برای اکسید ایندییم خالص بدست آمد و افزودن آلایش های فوق برای نوع و به ترتیب ا...

چکیده ندارد.