در این پایان نامه به بررسی ساختاری برای تفکیک طول موج های مخابراتی فروسرخ (دی مالتی پلکسر ‏) ‏به صورت تمام نوری و مبتنی بر کریستال های فوتونی دو بعدی می پردازیم.قلب تپنده ی این ساختار تشدیدگرهای حلقوی میکرونی مبتنی بر ‏کریستال های فوتونی است که هر کدام وظیفه ی تفکیک یک طول موج خاص را بر عهده دارند.

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

چکیده ندارد.

روش ارائه شده در این پایان نامه دارای بار محاسباتی کم می باشد و در عین حال از جمله دقیق ترین الگوریتم هایی است که در این زمینه ارائه شده است. جهت امتحان عملکرد الگوریتم از سیگنال های ecg موجود در بانک mit/bih arrhythmia database استفاده شده و نتایج حاصل از شبیه سازی نرم افزاری دقت بالای %99.7 را به ثبت رسانده است. پیاده سازی سخت افزاری بر روی fpga صورت گرفته است. به دلیل سادگی الگوریتم، سطح سخت...

منطق چند ارزشی امکان تعریف بیش از دو سطح منطقی را فراهم می آورد و سبب کاهش تعداد عملیات مورد نیاز برای پیاده سازی توابع ریاضی و مساحت تراشه می شود. این منطق در مقایسه با منطق دو مقداری، یکی از راه های بهینه کردن مدارهای دیجیتالی است چرا که با به کارگیری این منطق، محتوای دیتای بیشتری در سیم های ارتباطی منتقل می شود و به واسطه آن سرعت مدار و توان مصرفی و نیز کارایی آن بهبود می یابد. در این تحقیق ...

مدت ها تصور بر این بود که همه وسایل اپتیکی دارای رفتاری خطی هستند. مشاهداتی وجود داشت که این تصور را تایید می کرد. مستقل بودن ضریب شکست و ضریب جذب از شدت نور، تغییر نکردن فرکانس نور در هنگام عبور از محیط و مسایلی از این قبیل، خطی بودن ابزارهای اپتیکی را تایید می کرد. با اختراع لیزر در سال 1960 این امکان فراهم شد که رفتار نور با شدت بالا در محیط های اپتیکی، مورد آزمایش قرار گیرد. در صورتیکه قبل ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...