در این پروژه، نانوذرات اکسیدآلومینیم به روش سل- ژل کمپلکس- پلیمری تهیه شد و ساختار و خواص اپتیکی آنها مورد مطالعه قرار گرفت. اثر دمای تفجوشی مختلف (oc350، oc550، oc750 ، oc1000، oc1200) بر روی ساختار و اپتیکی نانوذرات مورد بررسی قرار گرفته است. طرح پراش پرتو x، فاز آمورف را برای نمونه تفجوشی شده در دمای oc350 و oc550؛ فاز مکعبی γ- اکسیدآلومینیم را برای نمونه تفجوشی شده oc750 و oc1000 و فاز ششگ...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس م...

در پژوهش حاضر، سنتز، بررسی رفتار سینتر با استفاده از روش های مختلف (کوره معمولی و گرمادهی مایکروویو) و ویژگی های مایکروویو دی الکتریک سرامیک های znnb2o6 در حضور tio2 مورد مطالعه قرار گرفت. از zno، nb2o5 و tio2 میکرون و نانو به عنوان مواد اولیه استفاده شد. ابتدا نانوپودر znnb2o6 با استفاده از آسیاب پرانرژی مخلوط پودرهای zno و nb2o5 به مدت 20 ساعت و عملیات حرارتی با استفاده از کوره معمولی و گرماد...

قالب سازی برای شارش مناسب نور در مقیاس طول موج آن، چالش بزرگ بحث بلورهای فوتونی می باشد. موجبرهای بلور های فوتونی معمولا با ایجاد نقص های خطی بدست می آید، مشروط بر این که بلور فوتونی در فرکانس مورد نظر دارای گاف باند فوتونی باشد. اخیرا، با معرفی بلورهای فوتونی مدرج فرآیند موجبری بدون نیاز به ایجاد نقص داخل ساختار انجام شده است. این بلورها به وسیله ی ایجاد تغییرات تدریجی در پارامترهای بلور فوتون...

  نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­...

در این پژوهش، آلیاژ مغناطیسی نرم ni0.8fe0.2به روش آلیاژسازی مکانیکی تولید شده است. تأثیر پارامترهای اندازه ی گلوله، سرعت آسیا و زمان آسیا برای ساخت این آلیاژ مورد بررسی قرار گرفت. به منظور بررسی خواص مغناطیسی و دی الکتریکی ناشی از آلایش آلیاژ ni0.8fe0.2 با عنصر کبالت، ترکیب (8/0-0=x) ni0.8-xcoxfe0.2ساخته شد. سرانجام، نتایج حاصل از آنالیزهای الگوی پراش اشعه ی ایکس (xrd)، تصویرهای sem، حلقه های پ...

از آرایه های تخلیۀ سدّ دی الکتریک برای کنترلِ پدیده های مختلفِ آئرودینامیکی از جمله کنترلِ جداسازی جریان استفاده می شود. به منظورِ کنترلِ این پدیده ها توسّطِ تکانهِ تولیدی محرّک ها نیاز به تعیینِ ولتاژِ بیشینۀ تخلیۀ لازم برای تولید تکانه است. در روش پردازش تصویر با استفاده از شعله های پلاسما و پارامترهایی از جمله طول و شدّتِ نور آن می توان بیشینۀ تکانهِ تولیدی و به تَبَع آن ولتاژِ بیشینۀ تخلیه را به دست آورد. مز...

در این پایان نامه قصد داریم میدان الکترومغناطیسی را در حضور تیغه دی الکتریک پاشنده اتلافی که توسط

نمونه هایی از ترمیستور ptc با فرمول شیمیایی batio3 مخلوز کردن اکسیدها ساخته شد. شرایط فیزیکی برای تمام نمونه ها جز مدت زمان سینترینگ یکسان بود. حداکثر زمان سینترینگ برای نمونه ها عبارت بود از: 1، 3، 5، 7، 9 و 11 ساعت که تماما در دمای 1200 درجه سانتیگراد سینتر شدند. نتایج نشان می دهد که چگالی و ثابت دی الکتریک با افزایش زمان سینترینگ ، افزایش می یابند ولی دمای کوری داری نوساناتی در این محدود زما...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...