نتایج جستجو برای: گیت ترانزیستور

تعداد نتایج: 776  

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
علی بهاری a. bahari department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری شهمیری m. roodbari shahmiri department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر نورالدین - میرنیا n. mirnia department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

ژورنال: دریا فنون 2020

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

اتوماتای سلول کوانتومی (qca) ابتدا توسط جناب آقای لنت در سال 1993 پیشنهادشده و از آن هنگام تاکنون تحقیقات بسیاری بر روی آن به صورت تئوری و آزمایشگاهی انجام شده است. مهم ترین کارکرد فنّاوری qca درزمینه δ استفاده از نقاط کوانتومی می باشد. گرچه ابزارهای اولیه ای براین اساس ساخته شده اند امّا این علم هنوز در ابتدای راه خود می باشد. پیشرفت ها در این زمینه بسیار قابل توجه است. به عنوان مثال افزایش 10ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی مایکرویو یکی از مهم¬ترین مسائل در طراحی مدارهای راداری و فرستنده¬های مخابراتی است. قطعات اکتیو مورد استفاده در این مدارها باید توانایی تولید سطوح بالایی از توان rf را در دماهای بالا داشته باشند. لذا هر ساله مطالعات بسیاری در راستای طراحی و مدل¬سازی قطعات توان صورت می¬گیرد. موادی از قبیل gan، gaas، الماس ، یاقوت کبود و sic موارد پیشهادی برای ساخت قطعات توان هستد. ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1392

-1- ضرورت و شیوه ی تحلیل تغییرپذیری: امروزه تغییر پذیری به واسطه پارامترهای ساخت با افزایش چشمگیر سرعت کاهش مقیاس ساخت در مدارهای vlsi بسیار پراهمیت گشته است . به خصوص تاثیر به سزای آن در تاخیر و توان و ماکزیمم فرکانس کاری مدارها در طراحی های مختلف بسیار محسوس می باشد . تغییر پذیری در دو نوع سیستماتیک و تصادفی است . تغییرپذیری های تصادفی مستقل از قرار گرفتن ترانزیستورها در مدار هستند و در مقاب...

ژورنال: مجله سلامت جامعه 2020

مقدمه: تأثیر گیت به عقب بر متغیرهای بیومکانیکی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت زانو ناشناخته‌اند. هدف این مطالعه تعیین تأثیر پروتکل تمرینی گیت به عقب بر پارامترهای فضایی- زمانی- مکانی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت داخلی زانو است. مواد و روش‌ها: این تحقیق نیمه تجربی با طرح پیش­آزمون-پس آزمون در دو گروه کنترل (سالم مرجع و بیمار شاهد) و یک گروه تجربی انجام ...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
اکرم امیری دانشگاه زنجان سیروس طوفان دانشگاه زنجان

چکیده: در ایـن مقاله طراحی یک مبدل زمان به دیجیتال 12 بیتی رزولوشن بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر اسیلاتور حلقوی چند­مسیره (multi-path gated ring oscillator) در تکنولوژی nm-cmos130 بیان شده است. برای افزایش رزولوشن دو مسیر گیت با رزولوشن­های متفاوت، رزولوشن درشت و رزولوشن ریز، به­صورت ساختار ورنیر استفاده شده است. تأخیر گیت هر مسیر تعیین­کننده رزولوشن آن مسیر و به دلیل به ­کار بردن آن­ها در ساخت...

غلامرضا مریدی

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید