در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت ها در بلور ?-Al2O3 با استفاده از روش امـواج تخت تقویت شده خطـی بـا پتانسیل کامــل (FP-LAPW) درچارچوب نظریة تابعی چگالی (DFT) هوهنبرگ، کوهن و شم با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) محاسبه شده است. نتایج نشان می?دهد ?-Al2O3 یک گاف نواری مستقیم درنقطه به اندازه eV3/6 دارد که بیشترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اربیتال های S2 و P2 اکسیژن و در نوار رسانش مربو...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به‌دس...

چکیده ندارد.

در مطالعه حاضر، ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری Mn2AlCu و Ti2CuHg از ترکیب هسلر کامل TaGa2Co، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان می‌دهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از نوع Mn2AlCu با نظم فرومغناطیسی و گشتاور مغناطیسی µB00/2 است. نتایج محاسبات ساختار الکترونی نشان می‌دهند که حالت پایه دارای خاصیت نیمه فلزی با ...

بلورهای نوری محیطی با خواص نوری متناوب هستند که از لایه های مواد دی الکتریک متناوب به صورت یک، دو و یا سه بعدی تشکیل شده اند. یکی از خواص مهم این ساختارها، کنترل عبور نور به علت وجود باند ممنوعه نوری و نیز وجود نقص هایی در آن ها است. نقص در بلورهای نوری در اثر تغییراتی در ساختار دی الکتریک های بلور است که خود می تواند یک، دو و یا سه بعدی باشد. اگر در بلورهای نوری نمودار فرکانس بر حسب بردار مو...

در این رساله، به بررسی رابطه بازتاب در بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی می پردازیم. بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی با ساختار چهار لایه (پلاسما1)- (mgf2) –(پلاسما2)-( شیشه) در یک سلول واحد در نظر گرفته شده است. رابطه بازتاب را با استفاده از روش ماتریس انتقال به دست آورده و اثرات پارامترهای مختلف مانند: تعداد سلول های واحد، دو فرکانس نرمالیزه پلاسما، زاویه فرودی، میدان مغناطیسی خارجی بررسی می کنیم....

در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از...

در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...

برای افزایش کارایی یک سلول خورشیدی تک اتصالی (تک پیوندی)ماورای محدودیتهای تئوریکی، سلول خورشیدی باند میانی پیشنهاد گشته است که این سلولهای خورشیدی از نیمه هادیهایی با یک باند میانی که در گاف نواری قرار گرفته اند ساخته شده است. این بدان معنی است که جذب فوتونها با انرژی کمتر ازانرژی گاف نواری نیمه هادی نیز ممکن است و جریان الکتریکی که ناشی از میدان فوتوالکتریک است را افزایش می دهد. در این مقاله...

مطالعه و کاربرد بلورهای فوتونیکی در دهه‎ی اخیر به شدت افزایش یافته است، از بلورهای فوتونیکی یک بعدی در ساخت پوشش‎هایی با قابلیت انعکاس بالا و پایین برای آینه‎ها و لنزها بهره برده می‎شود. بلورهای فوتونیکی دوبعدی در تحقیقات کنونی از اهمیت بیشتری برخوردار بوده، بطوریکه که کاربردهای تجاری برای چنین ساختارهایی بوجود آمده‎است که لیزرها و فیبرهای بلور فوتونیکی از جمله این کاربردها می‎باشد. گرچه فعلا ج...