نتایج جستجو برای: گاف نوار
تعداد نتایج: 4151 فیلتر نتایج به سال:
در این مطالعه ویژگیهای ساختاری، الکترونی و اپتیکی سرامیک 3 BaZrO در فاز مکعبی و تأثیر فشار بر ویژگی های یاد شده را بررسی شده است. محاسبه ها با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته ی خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی انجامگرفته است و از نرمافزارهای WIEN2k و Quantum Espr...
در این کار برخی از ویژگیهای ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4 بررسی میشود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریبهای مختلف برای انرژی تبادلی-همبستگی و با استفاده از نرمافزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان میدهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فریمغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فریمغناطیس،...
در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...
نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...
در این مقاله، خواص فازی امواج بازتابی از شبه بلورهای دو دوره ای یک بعدی متشکل از مواد تک منفی، با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. مشاهده می شود که با افزایش شمارنده مولد دو دوره ای، گاف باند همه سویه بزرگی در محدوده بسامدی تک منفی، تشکیل می شود. ما مطالعاتمان را به محدوده بسامدی این گاف باند پهن، محدود می کنیم. نتایج نشان می دهند که مقدار اختلاف فاز بین دو موج قطبیده الکتریکی عرضی و...
نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله...
در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...
در این مقاله، در ابتدا، یک ساختار نواری یک بلور فونونی دو- بعدی با شبکۀ مربعی مشتمل بر استوانههای پلیمتیل متاکریلیت در ماده زمینۀ هوا در نظر گرفته شد. با احتساب گاف نواری این ساختار، شبیهسازی موجبر صدا انجام شد. نتیجۀ مورد انتظار نیز مشاهده گردید، سپس، یک ساختار دیگر با شبکۀ ششگوشه مشتمل بر استوانههای آلومینیومی در مادۀ زمینه تنگستن مورد بررسی قرار گرفت. و با استفاده از روش محاسباتی...
در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4 بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید