بلور های فوتونی ساختار هایی هستند که ضریب شکست آنها در یک، دو و سه بعد بطور متناوب با دوره تناوبی در حدود طول موج نور تغییرمی کند.این تناوب در ضریب شکست باعث بوجود آمدن شکاف یا باند توقف درنمودار باند میشود که ویژگی بارز بلور های فوتونی است. آنچه مسئله را جالب تر میکند تغییر باند توقف فوتونی و ایجاد حالت های مجاز در آن با وارد کردن نقص در ساختاراست که پایه کاربرد های فراوانی است.کاربردهای بلور ...

برای افزایش کارایی یک سلول خورشیدی تک اتصالی (تک پیوندی)ماورای محدودیتهای تئوریکی، سلول خورشیدی باند میانی پیشنهاد گشته است که این سلولهای خورشیدی از نیمه هادیهایی با یک باند میانی که در گاف نواری قرار گرفته اند ساخته شده است. این بدان معنی است که جذب فوتونها با انرژی کمتر ازانرژی گاف نواری نیمه هادی نیز ممکن است و جریان الکتریکی که ناشی از میدان فوتوالکتریک است را افزایش می دهد. در این مقاله...

یک دسته از قطعات اپتیکی که با بلورهای فوتونی ترکیب می¬شوند تارهای نوری (موجبرها) هستند که به چنین ساختارهایی تار بلور فوتونی می گویند. هدف در این پژوهش بررسی ویژگی های اپتیکی ساختارهای تار نوری بلور فوتونی کامل و ناقص آغشته به نانوذرات فلزی می¬باشد. می توان با ایجاد نقص در تناوب مذکور، یک حفره ایجاد کرد که این حفره باعث تشکیل مد نقص می شود. می¬توان با افزودن نانو ذرات فلزی در محل حفره به ساختار...

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده‌شده در این مقاله از میله‌های استوانه‌ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول‌موج‌گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

در این مقاله، نانو آنتن های پلاسمونیکی پاپیونی (به صورت دو منشور مقابل هم) برای ارتقاء میدان الکتریکی و عامل پارسل گسیلنده های نقطۀ کوآنتومی ingan/gan در منطقۀ سبز طراحی شدند. برای این کار، ابتدا فلزات طلا، نقره، مس و آلومینیوم بررسی شدند. نتایج اولیه نشان دادند که نانو پاپیون های آلومینیومی برای برانگیختگی های با طول موج نزدیک باند سبز مناسب تر هستند. سپس، اثر اندازه، گاف و زیرلایۀ نانوپاپیون ...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه نور کند پهن باند با پاشندگی سرعت گروه بسیار ناچیز در موجبر بلور فوتونی با نقص خطی به لحاظ نظری بررسی شده است. نور کند در موجبرهای بلور فوتونی برای برخی کاربردهای عملی که در آن لازم است اندرکنش بین نور و مواد دی الکتریک مثل جذب یا غیرخطیت را کاهش دهیم، از اهمیت زیادی برخوردار است. همچنین از آنجائی که تجمع سازی مدارهای اپتیکی نیازمند به کارگیری موجبرهای خمیده می باشد، بنابراین ب...

در دهه های اخیر بلورهای فوتونی مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته اند و نوید بخش تحولات عظیم مخصوصاً در زمینه صنعت مخابرات و ارتباطات می باشند و انتظار می رود که در آینده ای نه چندان دور شاهد تحولات شگرف (مشابه تحولات بوجود آمده در زمان کشف نیمرساناها) در زمینه قطعات اپتوالکتریک باشیم. فصل مشترک موجود در بلورهای فوتونی نامتجانس که ازاتصال دو بلور فوتونی با پارامترهای فیزیکی و تقارن هندسی متفاوت ...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن شدگی در طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می دهد. در واقع، نتایج نش...

در این رساله رفتار پالس های نوری در ناحیه نور کند در موجبرهای بلور های فوتونی شبیه سازی خواهد شد. مدیریت پاشندگی در ناحیه نور کند در بلور فوتونی با ایجاد نقص در بلور، توسط سیال نوری صورت گرفته است. سپس نشان داده می شود که با استفاده از این تکنیک، می توان بافرهای نوری طراحی کرد که میزان تاخیر آنها با تغییر ضریب شکست سیال نوری قابل تنظیم است. همچنین با استفاده از این روش سرعت گروه بین 30/c تا 110...