نتایج جستجو برای: ژیو الکتریک

تعداد نتایج: 1308  

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
طاهره فروتن فرد کمار علیا کارشناس ارشد، فیزیک اتمی و مولکولی، دانشگاه آزاد اسلامی تبریز علی واحدی استادیار، فیزیک اتمی و مولکولی، دانشگاه آزاد اسلامی تبریز

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2018

رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی‌گراد با روش‌های هم‌رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیل‌گر برداری شبکه ...

استفاده از روش آزمون غیرمخرب برای آزمون انواع مواد، پیوسته در حال گسترش است. رادار نفوذی زمین یکی از روش های غیر مخرب آزمون مواد بر پایه استفاده از امواج الکترومغناطیسی می باشد که کاربرد آن در زمینه چوب و مواد چوبی سابقه چندانی ندارد. در این مطالعه از روش رادار نفوذی زمین (GPR) برای بررسی معایب داخلی چوب 3 گونه پهن برگ داخلی در 3 رطوبت مختلف استفاده شد. به منظور حذف عوامل تاثیر گذار بیرونی و نا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی مکانیک 1391

در این تحقیق، پودر نانو ساختار تنگستن کارباید با استفاده از فرایند تخلیه الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترود تنگستنی و گرافیتی غوطه ور در دو دی الکتریک نفت سفید و آب دی یونیزه، تولید و اثر پارامترهای ورودی فرایند(جریان و زمان روشنی پالس) بر روی نرخ تولید پودر، ساختار، فازها، خصوصیات مورفولوژیکی، توزیع اندازه و شکل نانو ذرات توسط تست های xrd ، tem ، psa و sem مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. نت...

دکتر فرخ آرزم مهندس علیرضا شوشتری

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی شیمی 1392

چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

ژورنال: مهندسی مکانیک 2017

با توجه به پیشرفت­های اخیر صنعت ریلی و گسترش استفاده از حمل‌ونقل ریلی در مسافت‌های کوتاه، بررسی قطارهای DMU (واحد چندگانه دیزل) و اطلاع از سیستم­های مختلف تولید توان و انتقال آن در این قطارها ضروری می‏باشد. در پژوهش حاضر، انواع قطارهای DMU، برمبنای سیستم انتقال قدرت کوپل‌شده با موتور، تقسیم‌بندی و بررسی شده، مزایا و معایب هر یک تشریح شده است. مقایسة سیستم­های دیزل الکتریک، دیزل مکانیک، دیزل هید...

ژورنال: سرامیک ایران 2012

میکروکانتیلورهای پیزو الکتریک چند لایه در واقع تیرهای یک سر گیردار با ابعاد میکرومتری هستند که امروزه به طور وسیعی در صنایع هوا-فضا، نظامی و خودروسازی به عنوان محرک و حسگر در سازه های هوشمند به کار می روند. پارامترهایی نظیر ضخامت زیر لایه، ضخامت پوشش، جنس و ابعاد مواد به کار رفته در ساختمان یک میکروکانتیلور بازده دستگاه را تعیین می کند. بنابراین درک رفتار استاتیکی و دینامیکی میکروکانتیلور به طر...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

ژورنال: :فیزیک اتمی و مولکولی 0

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید