نتایج جستجو برای: ورودی گیت انتشار

تعداد نتایج: 29797  

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

ژورنال: :مهندسی عمران مدرس 0
محمد شاکرخطیبی دانشگاه علوم پزشکی تبریز رقیه یوسفی کمیته تحقیقات دانشجویی دانشگاه علوم پزشکی تبریز خالد ظروفچی بنیس دانشگاه صنعتی سهند سیاوش درفشی پتروشیمی تبریز

امروزه افزایش آلودگی هوای ناشی از رشد صنعتی در کشورهای در حال توسعه به یکی از نگرانی های اصلی زیست محیطی تبدیل شده است. فرآیندهای مرتبط با نفت و گاز به عنوان یکی از منابع عمده آلودگی هوا محسوب می شوند که نشتی از تجهیزات فرایندی سهم عمده ای در انتشار آلاینده ها و به خصوص ترکیبات آلی فرار (vocs) در این صنایع دارند. استایرن و اکریلونیتریل به عنوان دو ماده اصلی در فرآیند واحد abs، امکان انتشار به م...

حسین مروتی دینا ایزدی فرشته حاج اسماعیل بیگی

مطالعه انتشار نور در دریا در سالهای اخیر گسترش زیادی یافته است و یکی از جدیدترین روشها، سنجش از دور لیزری است که حاوی اطلاعاتی از لایه های گوناگون دریا در کسری از ثانیه است بدون آنکه در محیط دریایی آشفتگی ایجاد کند. به منظور مطالعه نحوه انتشار نورلیزر در آب دریا، سری آزمایشهایی با استفاده از لیزر Nd:YAG در آزمایشگاه لیزرهای حالت جامد سازمان انرژی اتمی ایران طراحی و انجام گرفته است. با تاباندن ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

در این رساله با کمک ساختار های متقارن pt چندین افزاره نوری در حوزه خطی و غیرخطی طراحی و شبیه¬سازی خواهد شد. یکی از بارزترین ویژگی ساختارهای pt وارون ناپذیر بودن آن ها است. برای اولین مرتبه در آزمایشگاه شبیه سازی افزاره های پیشرفته در دانشگاه تربیت مدرس نشان داده می شود، کوپلر نوری با ساختار متقارن pt در حوزه ی خطی به ازای طول های معینی وارون پذیر می شود. با بهره گیری از این نکته یک سوییچ مکانی ...

Journal: : 2021

أهملت الدولة العثمانیة منذ أواخر القرن السادس عشر إدارة بعض الولایات التابعة لها بسبب انشغالها بحروبها الخارجیة على الجبهتین الغربیة والشرقیة, وشکل ذلک عاملاً مهمًا فی انتشار أصناف عدیدة من العساکر غیر النظامیة وخاصة بلاد الشام, وکان السکبان أحد أهم المرتزقة التی ساعدت الفوضى وعدم الاستقرار السیاسی والأمنی وتشجیع الولاة والأُمراء الطموحین التمرد ضد خاصة وأنهم کانوا جزءا تمرد الجلالیَّة الذی اجتاح ال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1389

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

ژورنال: :نشریه هیدرولیک 2012
احمد شرافتی باقر ذهبیون

برآورد سیلاب با عدم قطعیت هایی ناشی از تغییرات متغیرهای ورودی مدل بارش- رواناب مانند بارش، پارامترهای مدل مانند تلفات و ساختار مدل همراه است. برآورد سیلاب طراحی با در نظر گرفتن عدم قطعیت های متغیرهای تصادفی مؤثر بر آن، یکی از مباحث مهم در طراحی سازه های هیدرولیکی است. در این تحقیق، با استفاده از مدل آماری تولید بارش (rpg)، مدل بارش-رواناب hec-hms و روش مونت کارلو، عدم قطعیت متغیرهای ورودی مدل ب...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

نوسان¬سازهای حلقوی بطور گسترده¬ای در حلقه¬های قفل فاز برای کلاک و تولید پالس ساعت در ریزپردازنده¬ها و بازیابی داده و ترکیب فرکانسی مورد استفاده قرار می¬گیرند. این پایان¬نامه با ارائه یک رویکرد تحلیلی جدید، به استخراج معادلات فرکانس نوسان و نویز فاز نوسان¬ساز حلقوی مبتنی بر گیت معکوس¬کننده می-پردازد. از نقاط قوت این اسیلاتورها قابلیت مجتمع شدن بسیار زیاد آن¬ها و از نواقص آن¬ها نویز فاز نامناسب د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید