هدف این پایان نامه بررسی اثر پارامترهای فیزکی روی توان خروجی لیزرهای نیمه هادی نقطه کوانتومی- چاه کوانتومی می باشد. لیزرهای نقطه کوانتومی مورد استفاده یک تحریک کننده قوی هستند که در یک پهنای کم انرژی فشرده شدند. به همین دلیل است که ، تراز انرژی غیر مقید کوانتوم ها باید یکسان باشد. به عبارتی دیگر،اندازه ، اندازه ،شکل و ترکیب آلیاژ نقطه کوانتوم ها باید کاملا یکسان اختیار شوند. در اینجا برای ج...

مبدل های طول موج یکی از اجزای اصلی شبکه های wdm (wavelength division (multiplexed network می باشند. وظیفه اصلی این مبدل ها تغییر طول موج اطلاعات ارسالی یا به عبارت دیگر تغییر کانال اطلاعات ارسالی می باشد. در این میان مبدل های طول موجی که از soa ها (semiconductor optical amplifier) ها استفاده می کنند، یکی از بهترین گزینه ها برای تبدیل طول موج در شبکه های wdm می باشند. با استفاده از خواص غیر خطی ...

در این پایان نامه، مدلسازی دقیق رفتار پالس های نوری فوق باریک در تقویت کننده نوری نیمه هادی با استفاده از معادلات انتشار غیرخطی شرودینگر بهبود یافته انجام شده است. برای این منظور، مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود-انتشار پرتو جهت مطالعه و تحلیل انتشار پالس های فوق باریک در تقویت کننده های نوری نیمه هادی ارائه شده است. اثرات کلیه پدیده های غیرخطی شناخته شده در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه، نظیر...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در تکنولوژی ساخت نیمه هادی ها، به کوره هایی با دقت زیاد در دمای بالا نیاز است تا در آنها عملیات آلیاژسازی، نفوذ، رشد اکسید و غیره انجام گیرد. برای داشتن ادوات نیمه هادی با مشخصات یکسان، کنترل یکنواخت درجه حرارت کوره در محدوده 1 درجه سانتیگراد ضروری است . در این پروژه کوره الکتریکی جهت عملیات روی نیمه هادی مطالعه و بررسی شده است . پس از بررسی ساختاری، مراحل شناسائی، شبیه سازی و کنترل دما روی یک ...

در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشی...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...