نشانگان نوار آمنیونی مجموعه ای از ناهنجاری هاست که به دنبال پارگی زودرس کیسه آمنیون رخ داده و تقریبا در حدود 1 در هر 1200 الی 1 در هر 15000 تولد زنده روی می دهد. نوزاد مبتلای گزارش شده حاصل یک باروری دوقلویی دو تخمی به دنبال مصرف کلومیفن از یک مادر 34 ساله در اولین زایمان به طریق سزارین بود. نوزاد در معاینه ظاهری نواقصی چندگانه به صورت آنانسفالی، آنوفتالمی، شکاف کام، شکاف لب و بدشکلی بینی و ناه...

با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعه‌ی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکه‌ی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا‌ی خارجی و کرنش می‌پردازیم. به دلیل حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی، رسانش اسپینی و چرخش اسپینی را می‌توان با قدرت کرنش و برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی تنظیم کرد. برای مقادیر خاصی از قدرت اسپین-مدار راشبای خارجی الکترون‌ها فقط در صورتی که چرخش کامل اسپینی انجام...

یکی از خواص ممتاز نانولوله های کربنی، خواص الکتریکی شان می باشد. تحقیقات تئوری وتجربی زیادی برروی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی تک دیواره انجام شده است. این تحقیقات نشان می دهد که در نانولوله های کربنی تک دیواره، رسانش الکتریکی بالستیک و در برخی از موارد شبه بالستیک می باشد، در نتیجه رسانش الکتریکی کوانتیزه می شود. هدف از این تحقیق بررسی رسانش الکتریکی نانولوله های کربنی تک دیواره در شرایط م...

چکیده: با کوچک سازی مداوم قطعات الکترونیکی بحث ترابری الکترون در ساختارهای نانویی و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک و تکنولوژی فوق مدرن کاربرد وسیعی پیدا کرده است. تکنیکهای پیشرفته ی رشد بلور مانند تکنیکهای لیتوگرافی نیز طراحی و تولید ساختارهای مصنوعی را فراهم کرده اند که پدیده های فیزیکی جدیدی را نشان می دهند. یکی از قطعات مصنوعی, نقطه ی کوانتومی ( ) می باشد. نقاط کوانتومی نواحی کوچک تعریف شده...

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

مطالعه رسانایی الکتریکی در سامانه های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسایل در فیزیک نانو ساختار است. در سال های اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. رسانش الکترونیک یک موضوع نسبتا داغ است تا آنجا که هم از نظر کاربردهای فنی و هم از نظر فهم مفاهم فیزیکی بنیادی که در ارتباط با آن ها ظاهر می شود، جالب توجه و مورد علاقه ی ...

این مقاله در حالت عمومی ، روش های رسیدن به حل تحلیلی و دقیق معادلات دیفرانسیل رسانش با مشتقات جزئی حالت پایا و نتیجتا حصول دقیق تابع توزیع دما ، در هندسه های نامنظم که دارای مرز یا مرزهایی غیر موازی با محور های مختصات در دستگاه دکارتی اند (با انواع مختلف شرایط مرزی) را معرفی می کند. برای رسیدن به این هدف و وضوح بیشتر در بحث ، در یک حالت خاص ، صفحه ای با شکل مثلث قائم الزاویه دارای راس قائمه ی و...

یکی از مهمترین روش های تولید نانوذرات، لیزر کندگی در محیط مایع از یک هدف جامد است. در این پژوهش نانوکامپوزیت های اکسید روی با استفاده از لیزر نئودمیوم-یاگ (با طول موج 532 نانومتر و باانرژی پالس 200 میلی ژول)، از هدف روی در محلول تتراهیدروفوران خالص و محلول تتراهیدروفوران با غلظت 0.8 درصد وزنی پلیمر پلی استایرن تولید شده است. هر دو نمونه به مدت 20 دقیقه مورد نوردهی قرار گرفتند. هدف از انجام این ...

در تحقیق حاضر مدل‌سازی انتقال حرارت ترکیبی هدایت-تابش در عایق چندلایه انجام‌شده‌است. معادلات حاکم حل دقیق ندارند. بنابراین از حل عددی به همراه حل‌های تقریبی استفاده شدهاست. معادلات حاکم اصلی شامل معادله‌ی انرژی و معادلات دوشار می‌باشند، که به‌ترتیب با استفاده از روش‌های حجم‌محدود و اختلاف‌محدود گسسته‌سازی شده‌اند. حل عددی ابتدا با حل اوزیسیک و سپس با داده‌های منتشرشده‌ی تجربی صحت‌سنجی شدهاست. ب...