نتایج جستجو برای: نانو ترانزیستورهای اثرمیدانی ofet

تعداد نتایج: 14512  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1388

درعلم نیمه هادی هرچه ابعاد قطعه کوچکتر میشود اثرهای کانال کوتاه ومکانیک کوانتومی ( وجود ترازهای انرژی گسسته در لایه های الکترونی اتم ) روی مشخصه های ترانزیستور بیشترخود را ظاهرمی سازند ، وترانزیستورهای نانو وایر فت به عنوان یکی از مهمترین قطعات با کاهش قطر کانال به یک سیم نازک ، کنترل کانال را بخوبی انجام میدهند . این قطعات بطور گسترده در تکنولوژی cmos درحال توسعه هستند واین سبب میشود که در مدا...

2017
Chia-Hao Lee Yu-Ying Lai Jhih-Yang Hsu Po-Kai Huang Yen-Ju Cheng

Chia-Hao Lee, Yu-Ying Lai, Jhih-Yang Hsu, Po-Kai Huang and Yen-Ju Cheng* A ladder-type dithieno[3,2-b:6,7-b0]fluorene (DTF), where the central fluorene is fused with two outer thiophene rings at its 2,3and 6,7-junctions, is developed. The pentacyclic DTF monomers were polymerized with dithienodiketopyrrolopyrrole (DPP) acceptors to afford three alternating donor– acceptor copolymers PDTFDPP16, ...

2011

In this study we present the effect of elevated temperatures from 300K to 400K on the electrical properties of copper Phthalocyanine (CuPc) based organic field effect transistors (OFET). Thin films of organic semiconductor CuPc (40nm) and semitransparent Al (20nm) were deposited in sequence, by vacuum evaporation on a glass substrate with previously deposited Ag source and drain electrodes with...

Journal: :Small science 2023

Intramolecular alkyne aromatization is a powerful tool that enables the synthesis of nonplanar polycyclic aromatic hydrocarbons. Herein, an unexpected intramolecular via trifluoroacetic acid-promoted cyclization described, in which two structural isomers, expanded [9]helicene (1) and π-extended double [4]helicene (2) are obtained. A possible rearrangement mechanism proposed to account for forma...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

Journal: :Chemical communications 2015
Ricardo Couto Sylvain Chambon Cyril Aymonier Emmanuel Mignard Bertrand Pavageau Arnaud Erriguible Samuel Marre

We report for the first time the use of a microfluidic supercritical antisolvent process (μSAS) to synthesize semiconducting polymer nanoparticles (NPs) of poly(3-hexylthiophene) (P3HT). Solvent-free P3HT NPs with average diameters as small as 36 ± 8 nm are obtained. They are continuously spray-coated on substrates to fabricate OFET devices, demonstrating hole mobility through the nanoparticle ...

In this paper, using non-equilibrium Green's function method, the performance of junctionless transistors that are with Si, InP, and InGaP channels material are investigated.The shape of transistor’s gate is chosen as gate all around (GAA). Parameters such as DIBL, subthreshold slope (SS), OFF-state current, ON-state current and ON/OFF current ratio in these devices are investigated. The ...

Journal: :journal of nanostructures 2014
a. hayati a. bahari

some issues; leakage, tunneling currents, boron diffusion are threatening sio2 to be used as a good gate dielectric for the future of the cmos (complementary metal- oxide- semiconductor) transistors. for finding an alternative and novel gate dielectric, the nio (nickel oxide) and pva (polyvinyl alcohol) nano powders were synthesized with the sol-gel method and their nano structural properties w...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

2017
Hiroaki Iino Jun-ichi Hanna

We have investigated features of liquid crystalline materials for organic polycrystalline field effect transistors (OFETs) with a model liquid crystalline material of 5,5”-dioctylterthiophene (8-TTP-8). Bulk mobility in polycrystalline thin films of 8-TTP-8 via its liquid crystalline phase was easily determined by time-of-flight experiments. Furthermore, we could evaluate impurity contamination...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید