در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

هدف از این کار تجربی ارائه نتایج حاصل از اسپکتروسکوپی دی الکتریک بلور مایع 235 ، در فاز سمکتیک کایرال (فاز فروالکتریک) آن و در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه می باشد. برای این منظور پراکندگی و اتلاف دی الکتریک بلور مایع، در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه، در چندین دمای انتخابی از فاز مورد نظر تحت فرکانس های مختلف توسط دستگاه متر، اندازه گیری شده است. میزان تاثیر افزایش غلظت رنگینه بر طیف ه...

در این مقاله نانو ذره مغناطیسی عامل دار شده با گروه سولفونیک اسید به عنوان یک کاتالیزور ناهمگن و قابل بازیافت جهت سنتز سریع مشتقات 5،1-بنزودیازپین از طریق تراکم  2-فنیلن دی آمین با چالکون های مختلف در شرایط بدون حلال تحت تابش امواج مایکروویو به­کار گرفته شد. این کاتالیزور دارای بیشترین کارآیی و بالاترین واکنش پذیری است, همچنین براحتی و با استفاده از یک آهنربای مغناطیسی از محیط واکنش جداسازی میش...

محلول های جامد zro2-sno2-tio2 ترکیبات مهمی برای کاربردهای مشدد های دی الکتریک هستند. از این میان ترکیب (zr0.8sn0.2)tio4 به عنوان ماده ای با خواص بسیار مناسب شناخته شده است اما سینتر پذیری ضعیف آن منجر به عدم امکان متراکم سازی آن در دماهای پایین می شود. در پژوهش حاضر رفتار اکسید مس به عنوان افزودنی موثر بر سینتر پذیری این ترکیب بررسی شد. استفاده از واکنش حالت جامد اکسید های اولیه و اکسید مس در م...

در این تحقیق، پودر نانو ساختار تنگستن کارباید با استفاده از فرایند تخلیه الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترود تنگستنی و گرافیتی غوطه ور در دو دی الکتریک نفت سفید و آب دی یونیزه، تولید و اثر پارامترهای ورودی فرایند(جریان و زمان روشنی پالس) بر روی نرخ تولید پودر، ساختار، فازها، خصوصیات مورفولوژیکی، توزیع اندازه و شکل نانو ذرات توسط تست های xrd ، tem ، psa و sem مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. نت...

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

4- هیدروکسی- 5- متیل – 4،3- دی فنیل- 2- سیکلوپنتن -1- اُن 1 و 4- هیدروکسی- 2- متیل- 3، 4- دی فنیل- 2- سیکلوپنتن -1- اُن 4 با استفاده از مایکروویو در زمان کوتاهی تهیه شدند. آب گیری از دو دیول 2 و 5 با hcl تنها 2- متیل- 4،3- دی فنیل-2- سیکلوپنتن -1- اُن 6 تولید می کند. 2- متیل- 3، 4- دی فنیل- 2- سیکلوپنتن -1، 4- دیول 5 از کاهش کتول 4 با 4nabh به دست آمد. کتول های 1 و 4 در مجاورت هیدروژن پراکسید در م...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت به روش سل- ژل تهیه و تأثیر افزودن ماده استرانسیم بر ساختار، مورفولوژی و خواص الکتریکی آنها بررسی شد. ابتدا سل های مختلف با نسبت های مشخص از مواد اولیه تهیه شد. سل های تهیه شده روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شد. نمونه های تولید شده خشک و به منظور دستیابی به ساختار کریستالی کلسینه شد. نتایج الگوی xrd نشانگر تشکیل تک فاز bi4si3o12 از نمونه های آنیل شده در °c 700 ...

گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...