در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

لایه های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

چکیده: در این پروژه، ابتدا بررسی نظری بر روی پدیده پلاسمون های سطحی و ویژگی های آنها صورت گرفته است. خواص اپتیکی و سطحی لایه های نازک نقره و آلومینیوم و چند لایه ای های نازک نقره – فلزات دیگر (آلومینیوم، مس و ...) مورد مطالعه قرار گرفته است. لایه های نازک فلزات نقره، آلومینیوم، مس و ... به روش کندوپاش مگنترون، بر روی زیر لایه هایی از جنس شیشه ی بی ریخت، انباشت شده اند. تغییر توان با...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

در سالهای اخیر تحقیق و پژوهش پیرامون موضوعاتی از قبیل طراحی، ساخت و بکارگیری مواد جدید با استفاده از ساختارهای نانو از اهمیت ویژه ای برخوردار گردیده است. بررسی خواص این ساختارها بخصوص ویژگیهای مغناطیسی و الکترونیکی آنها به واسطه کاربردهای فراوان شان همواره مورد علاقه دانشمندان بوده است. در این پایان نامه، نتایج مربوط به تغییرات ساختاری و خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن، سه لایه ای های (x=cu,a...

در این تحقیق به ساخت و مشخصه یابی نانولوله دی اکسیدتیتانیم پرداخته شد. برای ساخت نانولوله دی اکسیدتیتانیم از روش آندی کردن الکتروشیمیایی با اعمال جریان ثابت استفاده گردید. از لایه نازک تیتانیم که بر روی زیرلایه شیشه رسانای شفاف روکش گذاری شده بود به عنوان آند در سلول الکتروشیمیایی استفاده شد. به علت اهمیت ریخت شناسی و خصوصیات آند در سلول الکتروشیمیایی بر ریخت شناسی و خواص نانولوله های به دست آم...

در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری...

لایه های نانوساختار 2 sno -2 tio به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای xrd و sem بررسی گردید. خواص الکتریکی ( i-v ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم...

بر اساس روش متعارف تداخل نوری، با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، ضخامت لایه نازک به دست می آید. جهت افزایش دقت در سنجش ضخامت های کم و کاهش خطاهای اندازه گیری، نمودار شدت فریزها قبل و بعد از فرآیند ایجاد پله، رسم می شود. با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، امکان اندازه گیری ضخامت لایه های نازک از مرتبه چند نانومتر فراهم می شود. همچنین با بهره گیری از جابه جایی نمودار شدت ...

مغناطش مرسوم ناشی از اوربیتال نیمه پر d یا f عناصر واسطه و قلیایی خاکی شناخته شده است. بعد ازمشاهده ی مغناطش ناشی از اوربیتال p حوزه ی جدیدی در علوم مغناطیس گشوده شده است. مغناطش اوربیتال p به دو صورت است : 1- ناشی از نقایص شبکه، تهی جاها یا اتم های خارجی 2- ناشی از خود اتم های سیستم . ما در اینجا بلور can را که از نوع دوم است، مورد بررسی قرار می دهیم. رفتار فرومغناطیسی این سیستم، غالبا همراه ب...