ساخت لایه جاذب cigs به روش دومرحله ای با لایه نشانی عناصر cu,ga,in به روش کندوپاش به ضخامت 700-400 نانومتر و سلنیوم دار کردن به روش نشست بخار شیمیایی و بررسی شرایط مختلف فرآیند در مرحله سلنیوم دار کردن جهت افزایش مقدار گالیوم و بهبود کریستالینیتی و تاثیر پارامترهای ان بر خواص اپتیکی، الکتریکی و ساختاری در جهت افزایش بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک مس گونه

در این تحقیق تجربی ریخت شناسی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار اکسید مس خالص (cuo) و ساختار پیوندگاهی ناهمگون cuo/zno:al رشد داده شده به روش افشانه تجزیه حرارتی را مورد بررسی قرار داده¬ایم. برای مشخصه یابی فیزیکی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis و اندازه گیری جریان - ولتاژ و همچنین اثر سیبک استفاده کرد...

ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

بررسی امکان اجرای یک واکنش چند جزئی ایزوسیانید برای سنتز مشتقات جدید کینازولین مجتبی بابری بخش اول این پایان نامه در ارتباط با واکنش سه جزئی جدید بین یک آلکیل ایزوسیانید، دی الکیل استیلن دی کربوکسیلات و (h1)2- تی اکسوکینازولین- (h3)4- اون یا h1،h3 - کینازولین- 2، 4-دی اون می باشد. به دلیل حلالیت کم کینازولین ها این واکنش در محلول dme – تولوئن در دمای °c110 بهتر انجام می شود تا بازده متوسطی از...

در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

در این پایان نامه با توجه به خواص منحصر به فرد لایه های نازک، لایه نازک تانتالیم مس نیتراید (tacun) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم، بر روی زیرلایه های سیلیکون، استیل و bk7 تهیه شد. هدفی که برای تولید لایه نازک tacun به کار برده شد، یک هدف ترکیبی شامل استوانه ای از جنس تانتالیم که سیمی از جنس مس به دور آن پیچیده شده بود که در آزمایشگاه ساخته شد. لایه نشانی در چهار مرحله با استفا...

در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری...

لایه های نانوساختار 2 sno -2 tio به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای xrd و sem بررسی گردید. خواص الکتریکی ( i-v ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم...

بر اساس روش متعارف تداخل نوری، با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، ضخامت لایه نازک به دست می آید. جهت افزایش دقت در سنجش ضخامت های کم و کاهش خطاهای اندازه گیری، نمودار شدت فریزها قبل و بعد از فرآیند ایجاد پله، رسم می شود. با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، امکان اندازه گیری ضخامت لایه های نازک از مرتبه چند نانومتر فراهم می شود. همچنین با بهره گیری از جابه جایی نمودار شدت ...