نتایج جستجو برای: قطعات نیمه هادی
تعداد نتایج: 37293 فیلتر نتایج به سال:
امروزه جامدهای بلورین در صنعت الکترونیک نقش مهمی را ایفا می کنند از بلورهای جامد ویفرها یا پولکها تهیه شده که از آنها قطعات الکترونیکی ساخته می شود. شرکت صنایع الکترونیک ایران این پولکها را از شرکتهای خارجی خریداری کرده و قطعات مورد نیاز کشور را با استفاده از این ویفرها می سازد. شناسائی کیفیت نیمه هادی این ویفرها هدف این پروژه بوده است . در این پروژه با اندازه گیری ویژگیهای رسانشی ویفرها کیفیت ...
با کوچکتر شدن اندازه قطعات نیمه هادی به کمتر از 100 نانومتر، اثرات مکانیک کوانتومی در کارایی قطعه، خود را نشان می دهد. از اینرو محاسبات مربوط به مشخصه های جریان– ولتاژ ترانزیستور لایه نازک آلی بسیار پیچیده می شود. در این پایان نامه، مدل سازی ترانزیستور لایه نازک آلی با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی انجام شده است. این مدل سازی بر اساس داده های تجربی با بهره گیری از شبکه های عصبی مصنوعی می ...
دیودگان از یک توده نیمه هادی با ساختار نواری ویژه ساخته می شود. اساس عملکرد دیودگان بر پایه تشکیل یک ناحیه رسانایی منفی در منطقه فعال آن می باشد. ساختار نوارهای باند انرژی نیمه هادی مورد نظر بگونه ای باید باشد که الکترونها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی قوی، از یک حالت تحرک زیاد به یک حالت تحرک کم انتقال یابند که تحت این مکانیزم ، نیمه هادی در حالت رسانایی منفی قرار می گیرد، لذا در این حالت دیود ب...
فرکانس نور یک لیزر یاقوتی با دما تغیر میکند . برای اندازه گیری و ثابت نگاه داشتن دمای یک لیزر یاقوتی آرایش الکترونیکی با استفاده از عناصر نیمه هادی ، تقویت کننده عملیاتی و یک ترموکوپل طرح و ساخت شده است که در ضمن بکمک یک الکترووان دبی ازت سرد کننده لیزر را نیز کنترل می کند .
آشکارساز نوری که در این پایان نامه از بررسی می شود از نوع رسانای نوری است.اساس کار بر این است که یک نیمه هادی بدون ناخالصی داریم این نیمه هادی را به دو کنتاکت فلزی وصل کرده و منبع ولتاژی به دو سر اتصال فلزی اعمال می کنیم فوتون های نور به این ساختار تابانده می شوند و با جذب فوتون جفت الکترون حفره تولید می شود وتحت تاثیر میدان الکتریکی به سمت کنتاکت ها حرکت می کنند.
این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن ...
در این پایان نامه با توجه به قابلیت های پردازش تمام نوری به طراحی و شبیه سازی گیت یونیورسال nor می پردازیم. برای این کار از دو تکنولوژی متفاوت تقویت کننده های نوری نیمه هادی مبتنی بر نانوکریستال و همچنین شفافیت االقایی دو قطبی بهره برده ایم ولی تاکید پایان نامه روی تکنولوژی نیمه هادی مبتنی بر نانوکریستال با توجه به قابلیت های فراوان آن می باشد. علت انتخاب گیت nor در این حقیقت نهفته است که این گ...
هدف این پایان نامه بررسی اثر پارامترهای فیزکی روی توان خروجی لیزرهای نیمه هادی نقطه کوانتومی- چاه کوانتومی می باشد. لیزرهای نقطه کوانتومی مورد استفاده یک تحریک کننده قوی هستند که در یک پهنای کم انرژی فشرده شدند. به همین دلیل است که ، تراز انرژی غیر مقید کوانتوم ها باید یکسان باشد. به عبارتی دیگر،اندازه ، اندازه ،شکل و ترکیب آلیاژ نقطه کوانتوم ها باید کاملا یکسان اختیار شوند. در اینجا برای ج...
مبدل های طول موج یکی از اجزای اصلی شبکه های wdm (wavelength division (multiplexed network می باشند. وظیفه اصلی این مبدل ها تغییر طول موج اطلاعات ارسالی یا به عبارت دیگر تغییر کانال اطلاعات ارسالی می باشد. در این میان مبدل های طول موجی که از soa ها (semiconductor optical amplifier) ها استفاده می کنند، یکی از بهترین گزینه ها برای تبدیل طول موج در شبکه های wdm می باشند. با استفاده از خواص غیر خطی ...
در این پایان نامه، مدلسازی دقیق رفتار پالس های نوری فوق باریک در تقویت کننده نوری نیمه هادی با استفاده از معادلات انتشار غیرخطی شرودینگر بهبود یافته انجام شده است. برای این منظور، مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود-انتشار پرتو جهت مطالعه و تحلیل انتشار پالس های فوق باریک در تقویت کننده های نوری نیمه هادی ارائه شده است. اثرات کلیه پدیده های غیرخطی شناخته شده در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه، نظیر...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید