برهمکنش های فوق ریز در مکان اورانیوم از ترکیب آنتی فرومغناطیس usb2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) بررسی شده اند. میزان جایگزینی الکترونهای ƒ در این ترکیب مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که الکترونهای 5ƒ تمایل دارند به خوبی با الکترونهای رسانش هیبرید شوند.

ما برای یا نانو نوار گرافین به ابعاد 20*5 نانومتر مقدار ضریب رسانش را برابر w/mk 261/1بدست آوردیم. مشاهده کردیم با افزایش دما ضریب رسانش گرمایی نخست افزایش می یابد و سپس شروع به کاهش می کند.با افزایش درازا نیز ضریب رسانش به شکل توانی افزایش مییابد. در بخش مکانیکی مدول یانگ را برای یک نانو نوار گرافین به همین ابعاد 1.09tpa بدست آوردیم. دیدیم با افزایش دما مدول یانگ زیاد شده ولی در دماهای بیشتر ا...

چکیده ندارد.

کشف نانولوله های کربنی تک دیواره در سال 1993 یک رشته پژوهشی علمی و فناورانه ی جدید به وجود آورده است. ویژگی های عالی مکانیکی، گرمایی و الکترونیکی نانولوله های کربنی آن ها را یکی از مهم ترین نامزدهای ساخت افزارهای الکترونیکی در ابعاد نانو ساخته است. با کاهش اندازه وسایل الکترونیکی و مکانیکی به نانومتر، ترابرد گرما به محیط از جنبه ی کارکرد و طول عمر وسایل اهمیت زیادی می یابد. در دهه ی گذشته بررسی...

در این پژوهش، تغییر در طیف تابش نوری (pl) چاه های کوانتومی چندگانه (mqw) تحت تأثیر لیزرهای فروسرخ قوی مطالعه شده است. دو نمونه چاه کوانتومی چندگانه alxga1-xas/gaas ، یکی متقارن و دیگری نامتقارن، طراحی گردید به طوری که اختلاف انرژی بین دو زیر نوار رسانش این نمونه ها نزدیک به انرژی فوتونهای لیزر co2، که به عنوان منبع میدان فروسرخ استفاده می شد، در نظر گرفته شد. نمونه های مورد مطالعه توسط دکتر جان...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

در این رساله ارائه مدل جامعی که بتواند در برگیرنده عوامل مختلف فیزیولوژیکی رسانش دارو به تومورها باشد، مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش برای اولین بار رسانش دارو به تومور با در نظر گرفتن شبکه مویرگی دینامیک (این شبکه تحت تاثیر تومور تولید شده است) که در ارتباط با جریان میان بافتی است و سیستم لنفاوی را هم شامل می شود، مطالعه شده است. از نکات مهم این مطالعه حل معادلات مستقل انتقال ماده حل ش...

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

کشف همزیستی بین فرومغناطیس و ابررسانایی در موادی مثل uge2 ، zrzn2 ، urhge باعث به وجود آمدن دسته جدیدی از مواد شده است که به ابررساناهای فرومغناطیس (fs) مشهور شده اند. سوال بسیار مهم، مکانیسمجفت کوپر در این مواد است که توجه زیادی را در فیزیک دمای پایین به خود جلب کرده است. در این رساله به مطالعه رسانش تونلی در نانو اتصال بین یک ابررسانای فرومغاطیس و یک فلز در چارچوب نظریه btk می پردازیم که ابرر...