چکیده ندارد.

مخازن تحت فشار خارجی از جمله سازه های پر کاربرد در صنایع زیر سطحی می باشد. از جمله کاربرد های آن می توان به بدنه فشار زیردریایی ها و اژدر ها اشاره کرد. عامل اصلی در تخریب بدنه های فشار وقوع کمانش می باشد و طراحی بدنه های فشار عمدتا بر پایه جلوگیری از وقوع کمانش می باشد. جهت افزایش نسبت استحکام به وزن در بدنه های فشار از تقویت کننده ها استفاده می شود. به طور معمول تقویت کننده ها به صورت رینگ های...

در این پایان نامه یک تقویت کننده سیگنال های عصبی قابل استفاده در سیستم های قابل کاشت در بدن طراحی و شبیه سازی شده است. سیگنال های عصبی به خاطر ماهیت ذاتی خود، دارای دامنه کم بوده و قبل از هر نوع پردازشی باید آنها را تقویت کرد. با پیشرفت تکنولوژی امکان ساخت این نوع تقویت کننده ها بصورت مجتمع و بر روی میکروپروب های آرایه ای وجود داشته و از آنجایی که این مدارها در قالب یک میکروسیستم در بدن کاشته م...

آپ امپ ها در کارهای تحقیقاتی و صنعتی کاربردهای بسیاری دارند. همانطور که در مدارهای منطقی، گیت هایnand وnor سنگ بنای تمام مدارهای دیجیتال هستند، می توان آپ امپ ها را سنگ بنای اکثر مدارهای آنالوگ دانست. در این پایان نامه، یک تقویت کننده عملیاتی با استفاده از پروسه 32nm cmos ، ارائه و شبیه سازی می شود. این تقویت کننده با استفاده از منبع تغذیه 0.9 ولت کار می کند و مناسب جهت استفاده در کاربردهای کم ...

در این پایان نامه بهینه یابی تقویت کننده برای پوسته استوانه ای با سوراخ مستطیلی تحت نیروی کمانش با روش اجزاء محدود و به کمک نرم افزار ansys انجام گردید. بهینه یابی با استفاده از روش sub problem انجام شد. متغیر های طراحی در بهینه یابی، ابعاد، ضخامت و وزن تقویت کننده انتخاب شدند و معکوس استحکام کمانشی به عنوان تابع هدف تعریف شد. هدف از بهینه یابی بدست آوردن شکل تقویت کننده برای تحمل بیشترین نیرو...

در این پایان نامه، یک تقویت کننده ی توان doherty در فرکانس ghz4/2 با بازده ی توان بالا طراحی و شبیه سازی شده است. برای این منظور از تکنولوژی سی ماس µm18/0 و یک منبع ولتاژ v8/1 استفاده شده است. هم چنین در بیرون تراشه یک ترانس سه سر ایده آل برای جداسازی توان بین دو طبقه ی این تقویت کننده به کار برده شده اند. برای دست یابی به مشخصات مناسب، ترانزیستورهای به کار برده شده به صورت کسکد بهم متصل شده ان...

در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در سیستم های با ولتاژ کم، نمونه گیری به دلیل تضاد بین رنج دینامیک، خطی بودن، سرعت و مصرف توان مشکل می شود. بنابراین بحث دستیابی به توان، سرعت و دقت مطلوب و نیز کاهش خطای آفست و خطای بهره برای این تقویت کننده ها در این پروژه مورد بررسی قرار گرفته است. مدارهای t/h سریع تر در ساختار حلقه باز عمل می کنند، ولی مشکل اساسی ، عدم دقت مطلوب آنهاست. مدارهای t/h با ساختار حلقه بسته می توانند خطینگی بالا ر...