نتایج جستجو برای: ترکیب دوتایی sic

تعداد نتایج: 56910  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - پژوهشگاه مواد و انرژی - پژوهشکده نیمه هادیها 1392

کامپوزیت های c-sic ساخته شده به روش lsi به دلیل برخورداری از وزن کم، خواص مکانیکی بالا و مقاومت اکسید شدن خوب در صنایع هوا-فضا بسیار مورد توجه هستند. این کامپوزیت ها زمانی که کامپوزیت های کربن-کربن بدلیل اکسیداسیون در دمای بالا غیر قابل استفاده اند، کاربرد دارند. در این تحقیق سعی شد تا برای اولین بار در ایران با مطالعه سنتز و استخراج مزوفاز از قیرهای ایرانی، قطعات کربنی با استفاده از mcmb ساخته...

هدف از پژوهش حاضر ارزیابی و مقایسه مشخصه‌های ساختار سطحی آلیاژ Ti 6Al 4V پس از انجام دو فرآیند مهندسی سطح شامل فرآیند     نیتروژن‌دهی پلاسمایی و فرآیند دوتایی نیتروژن‌دهی پلاسمایی و لایه‌نشانی نیترید تیتانیم به‌وسیله رسوب فیزیکی از فاز بخار است. عملیات     نیتروژن‌دهی پلاسمایی در دماهای 700، 750، 800 و °C850 به‌مدت 10 ساعت با ترکیب گاز نیتروژن و هیدروژن با نسبت 4 به 1 انجام شد. جهت انجام فرآیند...

2016
Yang Guo Xiujun Wang Xianglan Li Jiaping Wang Minggang Xu Dongwei Li

Soil inorganic carbon (SIC) and organic carbon (SOC) are important carbon reservoirs in terrestrial ecosystems. However, little attention was paid to SIC dynamics in cropland. We conducted a survey in the upper Yellow River Delta of North China Plain. We collected 155 soil samples from 31 profiles, and measured SOC, SIC and soluble Ca2+ and Mg2+ contents. Our results showed that mean SOC conten...

1997
C. W. Liu J. C. Sturm

The growth properties of b-SiC on ~100! Si grown by rapid thermal chemical vapor deposition, using a single precursor ~methylsilane! without an initial surface carbonization step, were investigated. An optimun growth temperature at 800 °C was found to grow single crystalline materials. A simple Al Schottky barrier fabricated on n-type SiC grown on Si substrates exhibited a ‘‘hard’’ reverse brea...

ژورنال: مواد نوین 2017

با توجه به آن‌که مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌اند؛ اما مشکل اصلی آن‌ها، شروع اکسیداسیون از دمای حدود °C400 در محیط اکسیدی می‌باشد، بهترین روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت، استفاده از کاربید سیلیسیم با ساختار تدریجی است که به دلیل پایداری حرارتی مناسب و تطابق فیزیکی، شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی مناسب با زیرلایه کربنی کاربرد گست...

2017
Jaechan Park Hyojin Park

The doctrine of informed consent, as opposed to medical paternalism, is intended to facilitate patient autonomy by allowing patient participation in the medical decision-making process. However, regrettably, the surgical informed consent (SIC) process is invariably underestimated and reduced to a documentary procedure to protect physicians from legal liability. Moreover, residents are rarely tr...

Journal: :Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada 2013
Tea Toplišek Medeja Gec Aljaž Iveković Saša Novak Spomenka Kobe Goran Dražić

In this work, the interactions between tungsten (W) and silicon carbide (SiC) in Sigma SiC fibers at high temperatures were characterized using scanning and transmission electron microscopy. These fibers could have the potential for use in fusion-related applications owing to their high thermal conductivity compared with pure SiC-based fibers. The as-received fibers were composed of a 100-μm-th...

2009
Hui Zhang Leon M. Tolbert

The potential impact of SiC devices on a wind generation system is explored by simulations in this work. The system modeling is explained in detail. Most recent SiC MOSFET prototypes are obtained, tested, and used to form a bi-directional converter in the simulation. The performance of the SiC converter is analyzed and compared to its Si counterpart at different temperatures and frequencies. A ...

2016
Katsumi Yoshida

This chapter reviews the novel fabrication process of continuous SiCf /SiC composites based on electrophoretic deposition (EPD). EPD process is very effective for achieving relatively homogeneous carbon coating with the thickness of several tens to hundreds nanometers on SiC fibers. Carbon interface with the thickness of at least 100 nm formed by EPD acts effectively for inducing interfacial de...

2009
Daniel Domes Roland Rupp

Whereas SiC switches have the overall lowest dynamic losses, they show higher static losses due to the lack of conductivity modulation and the necessary chip size limitations due to the still high SiC base material price. The frequency dependence of the total losses of the various 1200V configurations (Si-IGBT + Si freewheeling diode, Si IGBT + SiC Schottky diode, SiC-JFET cascode plus internal...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید