نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می­شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+  امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...

در این نامه به طراحی گیت های منطقی ‏and‏ ، ‏or، ‏not، سوییچ و ترانزیستور ‏تمام نوری ‏ با دقت و قابلیت اطمینان ‏ بسیار بالا، ابعاد کم و مصرف توان پایین با استفاده از کریستال های فوتونی ‏ دو بُعدی پرداخته شده است. برای بررسی حالت دائمی ساختارها از روش تفاضل متناهی ‏در حوزه زمان ‏ (‏fdtd‏) و برای به دست آوردن دیاگرام باندی ساختارها از روش بسط موج تخت ‏ ‏‏(‏pwe‏) استفاده شده است. همچنین برای به دست ...

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و برررسی نحوه تشکیل چاه کوانتوم دوبعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می‏پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل‏های موجود ، اثر قطبش خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تاثیر می‏گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه می‏کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می‏توان جریان الک...

در این  مقاله برای راه‌اندازی و کنترل بدون سنسور موتور - ژنراتور رلوکتانس سوییچی با میدان کمکی در حالت موتوری روش جدیدی ارائه شده‌است. موتور و ژنراتور جدید ارائه‌شده از نوع 4 به 2 است که روتورهای آن ازنظر شکل هندسی متفاوت و دارای دولایه جداگانه است و در هر لایه از یک استاتور و روتور استفاده شده‌است. ایدۀ اصلی این‌گونه است که یک پالس سینوسی دامنه کم با فرکانس بالا به فاز تزریق می‌گردد و سپس از ج...

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...

این روزها تکنولوژی قطعات الکترونیک قدرت در حال تحول شگرف می باشد و حاصل آن igbt و mosfet های قدرت می باشد که در حال حاضر بهترین قطعات سوئیچ در اینورترها هستند. اینورتر های جدید و قویتر سه سطحی که در آنها از igbt و یا mosfet های قدرت استفاده شده است، به منظور جایگزینی با اینورتر های مرسوم طراحی و ساخته می شوند. در این تحقیق طراحی و توسعه یک اینورتر سه سطحی با استفاده از روش کنترل فرکانسی ” مدولا...