مشخص شده است که هدایت گرمایی سیال?های متداول مانند آب و اتیلن گلیکول با افزودن ذرات جامد در اندازه?های نانومتری به این سیال?ها، افزایش می?یابد. از جملهی مواد نانومتری برای ساخت نانوسیالات، میتوان به نانولولههای کربنی اشاره کرد. نانولوله های کربنی به علت ساختار منحصربهفرد و هدایت گرمایی ذاتی بسیار بالای خود، توجه زیادی را به خود جلب کردهاند. برای توضیح غیرعادی افزایش هدایت گرمایی در نانوسیال?ها ...

نانولوله های کربنی به دلیل خواص الکتریکی و حرارتی فوق العاده به عنوان تقویت کننده در کامپوزیت ها سبب بالا رفتن میزان گرم شدن نمونه می شوند. امّا وجود نیروهای ون در والس قوی بین نانوذرات، سبب چسبندگی آن ها شده که از جمله مشکلات در ساخت کامپوزیت ها می باشد. برای حل این مشکل استفاده از امواج فراصوت و نیز عامل دار کردن نانولوله می تواند موثر باشد. در این تحقیق از نانولوله کربنی خام پودری و آرایه بر...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

در این پایان نامه، در ادامه روند حرکت ادوات نوری به سمت مقیاس نانو، یک ساختار اهمی کانال کوتاه را پیشنهاد کردیم. سپس با کمک فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی، مدلی ارائه کردیم تا بتواند عملکرد نور گسیلی این ساختار را با در نظر گرفتن آثار کوانتومی پیش بینی نماید. مدل ارائه شده علاوه بر در نظر گرفتن آثار کوانتومی قادر است رخدادهای فیزیکی موجود در فرآیند نورگسیلی را به خوبی پیش بینی و بسیاری از ابها...

نانو لوله ها مهم ترین اجزاء در فناوری نانو می باشند. اولین بار نانو لوله کربنی (cnt) توسط ایجیما کشف شد. مدتی پس از ساخت اولین نانو لوله، روش های متفاوتی برای ساخت انواع مختلف نانو لوله ها نظیر sicnt و bnnt ارائه گرید. لذا امروزه سنتز نانو لوله ها خیلی مهم بوده و محققین کمتر به دنبال روش های خاص سنتز هستند. اکنون پس از گذر از مرحله سنتز به بررسی خواص مختلف نانو لوله ها رسیده ایم. شیمی محاسباتی ...

چکیده ندارد.

مطالعه ی نانولوله های کربنی در میدان های الکتریکی به علت امکان کاربرد آن ها در مدارهای نانوالکترونیک از اهمیت خاصی برخوردار است. در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت روی نانولوله ی کربنی از نوع زیگزاگ تک دیواره (swcnt) در دمای 25 درجه سلسیوس و فشار یک اتمسفر بررسی شده است. در بخش اول طول نانولوله 10 و قطر آن 109/3 آنگستروم می باشد که میدان الکتریکی، موازی محور طولی نانولوله بر حسب a.u. 4-10 ...

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...