با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

در این مطالعه، نانوذرات آلومینا (al2o3) به روش سل-ژل تهیه شد. نانوذرات سنتز شده توسط طیف نگار­های پراش پرتو ایکس(xrd) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) کوپل شده با آنالیز تفکیک انرژی (eds)، تبدیل فوریه مادون قرمز (ft-ir)، ایزوترم­ های جذب و واجذب نیتروژن (bet) و (bjh) شناسایی و مشخصه یابی گردید. هر چند آلومینا به عنوان یک نارسانا معرفی شده است، نتایج به دست آمده در کار حاضر، اکسید ...

پس از بازنگری کلی بر تکنولوژی soi مدل و ترانزیستورهای soi و انواع روش های تبدیل سیگنال آنالوگ به دیجیتال مورد بررسی قرار می گیرد. در ادامه با طراحی زیرمدارهای مبدل a/d فلاش سه بینی اثر تکنولوژی soi بر این مدل بررسی می شود. مدل های soi بکاررفته از دانشگاه برکلی و پارامترهای آنها از دانشگاه فلوریدا تهیه شده و شبیه سازی مدارات بوسیله نرم افزار pspice5.0 و spice-opus انجام شده است. براساس شبیه سازی...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

اثر بازدارندگی سطح فعال کاتیونی DTAB (دودسیل تری متیل آمونیوم برمید) برخوردگی فولاد کم کربن در محلول M1 HCl، با استفاده از روش کاهش وزن مورد بررسی قرار گرفت. جذب مولکول‌های سطح فعال بر سطح فولاد باعث ایجاد مانعی بر سطح فلز می‌شود و از کاهش وزن فلز بر اثر خوردگی در محلول اسیدی جلوگیری می‌کند. بازدارندگی ماده DTAB برخوردگی فلز، با افزایش غلظت ماده فعال سطحی در محلول اسیدی، افزایش می‌یابد. همچنین ...

ویژگی های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین کننده ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانfdtd شبیه سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که ...

چکیده: سابقه و هدف: مطالعه فرآیندهای جذب و واجذب فلزات سنگین در خاک بمنظور ارزیابی چگونگی انتقال ویاتجمع فلزات وتعیین سرنوشت آنهادر لایه های خاک مسئله مهمی است که توجه بسیاری از محققین رابه خود جلب نموده است. توانایی انتقال فلزات تجمع یافته درلایه های خاک در اثر نفوذ جریانهای سطحی، بارش وحتی نفوذ فاضلابهای شهری وصنعتی در خاک از یک سو و واجذب فلزات از خاک بصورت محلول وانتقال آنها ونهایتا تراوش د...

این تحقیق به بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر فرآیند لیچینگ مس می پردازد. در این فرآیند، آزمایش های بطری غلطان، ظروف لرزان و ستون بر خاک اکسیدی انجام شد. پارامترهای شدت میدان ، مدت عبور محلول از میدان مغناطیسی، زمان ماند محلول، دما و دبی حجمی مطالعه شدند. در آزمایش بطری غلطان میزان مصرف اسید خاک اکسیدی با دانه بندی 5/0 اینچ، kg/ton 19/676 و برای خاک پولورایز شده، kg/ton47/890 برآورد شد. در آزمایش ...