نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدانی
تعداد نتایج: 165261 فیلتر نتایج به سال:
در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...
تشخیص عیوب، خطاها در مراحل اولیه و خطاهای توسعه یافته ی درایوهای الکتریکی توسط پایش شرایط آن ها امکانپذیر است. عیوب درایو موجب تغییر در شرایط کار عادی آن نمی شوند ولی بر اثر تکرار و شدت یافتن باعث کاهش عمر مفید و نهایتاً منجر به خرابی آن می شوند. هدف این رساله ارائه ی روشی جدید برای تشخیص برخی عیوب درایو موتور سنکرون مغناطیس دائم شامل افزایش مقاومت اتصال و قطع و وصل لینک dc، خطای اتصال کوتاه ترا...
ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...
تعد قضية الأمن الغذائي من القضايا المهمة التي تواجه صانعي السياسة الزراعية في العديد البلدان باعتبارها مرتبة متقدمة الحاجات الاساسية لأفراد المجتمع ، ويعد العراق واحداً الدول تعاني ظاهرة الاغراق السلعي وخاصة بعد عام (2003)، حيث شهدت الأسواق العراقية انفتاحا كبيرا على السلع المستوردة والتي تكون رخيصة الثمن وذات نوعية رديئة مما أدى إلى منافستها للمنتجات المحلية . 
 استهدف البحث قياس وتحليل ال...
ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...
پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دههی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...
الشاهين (محمد ميرزا بن عباس وناصر الدين ميرزا) فبدأت الحكومة بإقامة علاقة غريبة مع رجال وعلى الرغم من ان تظاهرت بدعمها للرجال الا انها فشلت في النهاية اقامة معهم، وذلك بسبب تطرف الذين لا يؤمنون بتعاليم الإسلام، وكان الصعوبة التوافق بين ورجال اثر ذلك ظهرت العديد التمردات الدينية ضد الفارسية خلال المدة (١٨٣4-١٨52م) .
در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...
استعاره نه تنها ابزاری زبان شناختی به منظور افزودن جاذبه به متن است، بلکه یکی از ویژگیهای مهم تفکر و آموزش نیز میباشد (جنسن، 2006). در همین راستا، کووکسس (2002) به نقش مهم استعاره در فهم و تفکر بشری و ایجاد حقیقت اجتماعی، فرهنگی، و روانشناسی اعتقاد دارد. با این وجود با نگاهی دقیق تر، آموزش زبان دوم علاقه ی مربیان این زبان را به فهم تفاوت های فراگیران جلب نموده است. یکی از این موارد تلاش در راست...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید