در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

در این پژوهش، نانوکامپوزیت NiO-YSZ جهت استفاده به عنوان لایه ی AFL آند SOFC به روش لایه نشانی الکتروفورتیک ساخته شد. برای این منظور، ابتدا سوسپانسیون حاوی ذرات NiO و YSZ با نسبت 50:50 و با غلظت gr/Lit10 درمحیط‌های غیر آبی متعددی تهیه شد. بررسی‌ها نشان داد که سوسپانسیون تهیه شده در ایزوپروپانول، با افزودن ید دارای بهترین شرایط برای انجام فرآیند الکتروفورتیک است. سپس این سوسپانسیون جهت لایه نشانی...

فرایند احیای کربوترمی به عنوان یکی از روش?های صنعتی استخراج فلز روی از دیرباز مطرح بوده است. امروزه نیز بازیابی روی به روش احیای کربوترمی از غبار کوره?های قوس الکتریکی مورد توجه بسیاری ازپژوهشگران قرار گرفته است. از آنجا که این فرایندیک واکنش مرزی حالت جامد (احیای مستقیم) بین ذرات اکسید روی و کربن محسوب می?شود، لذا نرخ احیا به شدت به اندازه ذرات واکنش?گرها حساس است. در این پژوهش اثر اندازه ذرات...

در این تحقیق به بررسی اثر افزودن اکسید تالیوم در درصد‌های مولی0 ، 1/0 ،25/0 ، 5/0 و 1 بر ریزساختار و خواص الکتریکی وریستورهای بر پایه اکسید قلع در کاربرد ولتاژ بالا پرداخته شده است. نتایج الگوی پراش اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM) نشان می‌دهد که علاوه بر فاز اکسید قلع، فاز ثانویه‌ای اکسید تالیوم در نمونه‌های حاوی اکسید تالیوم با درصد مولی بیشتر از 25/0 وجود ...

نانوسیمهای کبالت و نیکل با استفاده از قالب اکسید آلومینیم حفره دار و انباشت الکتروشیمیایی متناوب با قطرهای مختلف و زمان انباشت های متفاوت ساخته شد. برای نانوسیمهای نیکل با قطر 30 نانومتر میدان وادارندگی با افزایش زمان انباشت ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد, در حالی که برای قطرهای بالاتر روند صعودی میدان وادارندگی با افزایش زمان انباشت تغییر نمی کند. به طور عام, افزایش قطر نانوسیم موجب کاهش وادا...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

در این مقاله اثر عنصر تیتانیوم بر ریزساختار و خواص مکانیکی پوشش سخت پودری Fe-Ni-C-W موردبررسی قرار گرفت. روکش الکترودهای مورد استفاده توسط ترکیبی از پودرهای آهن، فرو بور، فرو نیکل، فروتیتانیوم، تنگستن و گرافیت ساخته شد. مفتول مورد استفاده از الکترود 6013 به دست آمد. بررسی نتایج ریزساختاری نشان داد که ریزساختار فلز جوش نمونه 1 شامل زمینه مارتنزیت سوزنی، مناطق آستنیت باقیمانده و کاربیدها بود در ح...