هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

اثرکازیمیر که اولین بار در سال 1948 به شکل نیروی جاذبه بین دو سطح در خلاء، بوسیله "هندریک کازیمیر" پیشبینی شد، در واقع ؛ به دامِ تجربه انداختن واقعیتی فیزیکی به نام "نوسانات خلاء" یا "انرژی نقطه ی صفرِ" مطرح شده در نظریه ی میدان های کوانتومی؛ از طریق قرار دادن شرایط مرزی است. اما اساسی ترین دغدغه در بررسی این اثر، اعمال شرایط هر چه واقعیتردر انجام محاسبات مربوط به آن می باشد؛ چرا که محاسبه ی هرچه...

چکیده در این پایان نامه ناپایداری رشته¬ای ناشی از برهمکنش باریکه الکترونی نسبیتی با پلاسمای کوانتومی مغناطیده با استفاده از معادلات ماکروسکوپی سیالی سرد مطالعه شده است و فرض کرده¬ایم که بردار موج اختلال بر باریکه¬¬ی الکترونی عمود است. تانسور دی الکتریک و رابطه پاشندگی محاسبه شده و در طیف وسیعی از پارامترها به صورت عددی تجزیه و تحلیل شده¬اندو اثرات ضریب نسبیتی بر نرخ رشد ناپایداری و همچنین بردا...

در این مقاله، اثر میدان مغناطیسی چنبره ای در اطراف قرص های نازک خود گرانشی با الگوی وشکسانی بتا مطالعه می شود. انتظار داریم با اعمال میدان مغناطیسی در یک قرص نازک خود گرانشی با الگوی β رفتار متفاوتی در مقایسه با حالت بدون میدان مغناطیسی داشته باشیم. با استفاده از حل روش های خود مشابهی تحول زمانی قرص های وشکسان خود گرانش پلی تروپ دراطراف یک جسم مرکزی جوان را بررسی می کنیم و بعضی از کمیت های فیزی...

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

ناحیه جوش لوله فولادی API X70 به دلیل نواقص ذاتی، می‌تواند منطقه مستعد جهت شروع و رشد ترک و نهایتا آسیب سازه باشد. در تحقیق حاضر رفتار مکانیکی درز جوش مارپیچ لوله API X70 در سه ناحیه (فلز پایه، ناحیه متاثر از حرارت و فلز جوش) با استفاده از نمونه‌های آزمون کشش تک‌محوری و خمش سه ‌نقطه‌ای بررسی شد. برای تعیین خواص کششی فولاد سه نمونه تخت ماشین‌کاری شده از هر ناحیه استفاده شد. همچنین یک نمونه خمش س...