امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود، که برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی if استفاده می شود. مخلوط کننده مناسب برای ...

امروزه ساخت دسته جدیدی از قطعات الکترونیکی مانند سیم های کوانتومی و حافظه های مولکولی با رفتارهای ویژه و قابل توجه از مهمترین فناوری های پیشرفته در توسعه نانو محسوب می شود.محققین بسیاری رسانش دستگاه های مزوسکوپیک وعمدتاً دستگاه های مولکولی ساندویچ شده بین دو الکترود فلزی را بررسی کرده اند و پدیده هایی همچون سوئیچ زنی و تقویت کنندگی را در این رساناهای مولکولی مشاهده کرده اند و تلاش کرده اند تا قط...

نانولوله های کربنی دارای خواص الکتریکی و مکانیکی منحصر به فردی هستند و در زمینه های مختلقی مانند ترانزیستورها، مواد نیمه رسانا و کامپوزیت ها کاربرد دارند. البته در اغلب موارد نانولوله های کربنی سنتز شده دارای ناخالصی های کربنی و فلزی هستند. خالص سازی نانولوله های کربنی شامل حذف ناخالصی های کربنی بوسیله اکسیدکردن آنها و حذف ناخالصی های فلزی با استفاده از اسید می باشد. بدین ترتیب حذف ناخالصی ها ب...

در این پایان نامه، یک تقویت کننده توان کلاس ab با توجه به الزامات نسل چهارم مخابرات بی سیم در فرکانس مرکزی ghz4/2 طراحی شده است. تقویت کننده از دو طبقه دیفرانسیلیِ آبشاری تشکیل شده است. مهمترین هدف ما در این تحقیق، طراحی یک تقویت کننده توان است که اثر غیرخطی عناصر آن، با روش های مداری، بدون نیاز به روش های خطی سازی متداول مانند پیش اعوجاج دیجیتالی و "حذف و بازیابی پوش "، حذف شوند. در این تحقیق ...

نانو مواد یک بعدی اکسید نیمرسانا در سال های اخیر توجه شایانی را به خاطر خواص منحصر به فرد الکتریکی? اپتیکی و مکانیکی به خود جلب کرده اند. در میان این نیمرساناها? شکل روتیل sno2 یکی از مواد جالب است و به خاطر کاربردهایش در حسگرهای گازی? خازن ها? ترانزیستورها و سلول های خورشیدی معروف است. اکسید قلع? sno2? ماده ای با گاف انرژی? ev 62/3eg = در دمای k300 است. انرژی بستگی اکسایتونی بسیار بزرگی دارد?(...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظیر سیستم های گازی، این امکان را ایجاد کرده است که بتوان آستانه ی دوپایایی نوری را در شدت های پایین کنترل کرد. از طرفی ...

در سال های اخیر تلاش های زیادی برای طراحی و کنترل تولید مواد نانوساختار با خواص کاربردی جدید صورت پذیرفته است. علاقه به مواد با مقیاس نانو از این حقیقت سرچشمه می-گیرد که خواص این مواد (نوری، الکتریکی، مکانیکی، شیمیایی و ...) تابعی از اندازه، ترکیب و ساختار آن ها می باشد. به هرحال ارائه روش های موثر که بطور قابل اعتماد و تکرارپذیر بتواند تقاضاهای جدید نانوفناوری را برای تولید نانومواد با خواص وی...

با کوچک شدن روزافزون تکنولوژی و افزایش چگالی مدار های vlsi، اهمیت کاهش مصرف انرژی و توان در این مدار ها بیش از پیش به چشم می خورد. در بسیاری از وسایل، مصرف انرژی پایین به منظور افزایش طول عمر باتری در اولویت اول طراحی قرار می گیرد. یکی از گزینه های بسیار مناسب برای این موارد، مدارهایی هستند که در ناحیه زیرآستانه کار می کنند. با این وجود با پیشرفت تکنولوژی و اضافه شدن امکانات جانبی نیاز به کاهش ...

فیلترهای آنالوگ از واحدهای اصلی بسیاری از مدارهای مجتمع آنالوگ می باشند. با توجه به کاربرد فراوان فیلترها و همچنین حجیم بودن آنها، طراحی مناسب این واحد کمک بزرگی به طراحی موثر تر مارهای مجتمع خواهد کرد. روشهایی متفاوتی برای مجتمع سازی فیلترهای آنالوگ ارایه شده است. یکی از روشهای موثر پیشنهادی استفاده از عناصر ترارسانا (ota) و خازن است. این روش با نام روش ota-c به دلیل مزایای فراوان از جمله قابل...