چکیده: شیشه سرامیک های بدست آمده از تبلور ترکیبات شیشه در سیستم سه تایی cao-sio2-mgo خواص شیمیایی و مکانیکی خوبی از خود نشان داده اند. به همین دلیل این مواد برای کاربردهای زیادی مناسب هستند. همچنین به عنوان یکی از سیستم های شیشه سرامیک با ویژگی های دی الکتریک مطلوب شناخته شده اند. در این پژوهش رفتار تبلور و سینترپذیری شیشه سرامیک سیستم cao-sio2-mgo مورد بررسی قرار گرفت. به منظور انتخاب ترکیب ...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه هدف طراحی آنتن دی الکتریک مستطیلی با پهنای باند پلاریزاسیون دایروی بالا برای پوشش باندهایx و ku بود. به این منظور و بر مبنای مطالب بحث شده ابتدا با استفاده از روش dwm به محاسبه ابعاد rdra پرداخته شد. سپس با انجام بررسی های گسترده بر روی نمونه های متعدد rdra با تغذیه های مختلف نشان داده شد مدهای تحریک پذیر rdra وابسته به منبع تغذیه و موقعیت آن است. در ادامه فلوچارتی برای طرا...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (SPR) با استفاده از نظریه‌ی مای و نرم افزار FDTD مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می‌شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه‌جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می‌شود. هم‌ چنی...

ترانسفورماتور قدرت یکی از تجهیزات حیاتی در شبکه برق است. افزایش رطوبت در سیستم عایقی ترانسفورماتور موجب کاهش قدرت دی­ الکتریک، کاهش ولتاژ شکست، بروز تخلیه جزئی و کاهش چشمگیر عمر ترانسفورماتور بواسطه تخریب بافت کاغذ خواهد شد. در این تحقیق استفاده از روش اندازه­ گیری جریان­ های پلاریزاسیون و دیپلاریزاسیون (pdc) به منظور تخمین رطوبت کاغذ در مدل سیستم عایقی در سه دمای مختلف بررسی شده است. با هر پله...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

در بخش اول تحقیقات، سرامیک مایکرویو دی الکتریک با ترکیب li2znti3o8 – x wt. % tio2 با واکنش های حالت جامد آماده سازی شد. مواد اولیه با خلوص بالا (%99<) شامل li2co3 ,zno و tio2 مورد استفاده قرار گرفت. درصد های مختلف از نانو ذرات (wt. % 8 - 0) tio2 به سرامیک li2znti3o8 اضافه شد تا تاثیر نانو ذرات بر روی دانسیته، ریزساختار، قابلیت سینتر و خواص مایکرویو دی الکتریک بررسی شود. ماکزیمم دانسیته 99 درصد ...

هدف از این کار تجربی ارائه گزارش حاصل از اندازه گیری ضریب دی الکتریک بلورهای مایع e7 , c7 , 1791 می باشد . ضریب دی الکتریک هر یک از بلورهای مایع در بازه دمایی و فرکانسی متفاوت اندازه گیری شد . بررسی نتایج نشان داده است که بلورهای مایع مورد بررسی ناهمسانگردی دی الکتریکی مثبتی دارند و با افزایش دما در فاز نماتیک این نوع ناهمسانگردی کاهش می یابد . تا اینکه در دمای گذار ، این مقدار به صفر میل میکند...