با استفاده ازداده­های آزمایشگاهی، دقت روش تفاضل متناهی دامنه زمان fdtd دوبعدی بهبودیافته با روش fdtd سه بعدی مقایسه می­گردد. برای این منظور از موجبر خمیده º60 بلور فوتونی بهینه استفاده شده است. با توجه به هندسه موجبر بلور فوتونی، قطبش الکتریکی عرضی در نظر گرفته شده است. این داده­ها از تکنیک end-fire در آزمایشگاه به دست آمده­اند. با محاسبه­ی گذردهی موثر در الگوریتم یی نشان می­دهیم که روش fdtd به...

در این رساله خواص اپتیکی ساختارهای لایه ای شامل متامواد مطالعه شده است. متامواد چپگرد موادی مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. در متامواد تک منفی ، فقط یکی از ضرایب گذردهی الکتریکی یا تراوایی مغناطیسی منفی می باشد. این مواد به دو صورت اپسیلون-منفی و مو-منفی وجود دارند. ابتدا بلور فوتونی یک بعدی را در نظر گرفتیم که...

تکنیک چُکرالسکی متداول ترین روش برای رشد بلورهای اکسید مانند (al2o3) sapphire از فاز مذاب است. در این روش، ابتدا یک بلور اولیه با شعاع کوچک در تماس با سطح آزاد مذاب قرار می گیرد. پس از ایجاد فصل مشترک بلور- مذاب و برقراری تعادل حرارتی در سیستم، این بلور اولیه به سمت بالا کشیده می شود و در نتیجه یک تک بلور در پائین آن شروع به رشد می کند. فرآیندهای گرمای القائی، جریان های شاره و انتقال حرارت نقش م...

In this paper, the phase properties of waves reflected from one-dimensional double-periodic quasi-crystals consisting of single-negative materials are investigated using transfer matrix method. It is observed that, by increasing the double-periodic generation number, a large omnidirectional band gap is created in the single-nagative frequency range. We limit our studies to the frequency range o...

واحدهای دولومیتی مورد مطالعه بر اساس پتروگرافی حاوی 5 دسته دولومیتهای خیلی ریز  تا ریزبلور بی شکل،دولومیتهای ریزبلور  تا متوسط بلور شکل دار ،دولومیتهای متوسط بلور نیمه شکل دار ،دولومیتهای متوسط تا درشت بلور بی شکل(زین اسبی) و دولومیتهای درشت بلور پرکننده حفرات می باشد.مطالعه بر روی نحوه دولومیتی شدن فراگیر ،حاکی از آن است که نهشت دولومیت طی یک مرحله صورت نگرفته و در زمان طولانی روی داده است.بر ...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی‌الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می‌دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می‌یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...

در این پایان نامه پس از بیان مقدمه ای در خصوص بلور و روش های رشد، روش جدید و تک جهتی موسوم به sankaranarayanan-ramasamy (s-r) توصیف شده و مزایای رشد به این روش بیان گردید. سپس بلور پتاسیم دی هیدروژن فسفات (kdp) همراه با افزودنی های پتاسیم کلرید (kcl) و اتیلن دی آمین تترا استیک اسید (edta) به مقدار (m% edta 01/0 و % kcl m5) در جهت <001> از محلول آبی به روش s-r و روش متداول رشد داده شد. پس از آن ...

  واحدهای دولومیتی مورد مطالعه بر اساس پتروگرافی حاوی 5 دسته دولومیتهای خیلی ریز  تا ریزبلور بی شکل،دولومیتهای ریزبلور  تا متوسط بلور شکل دار ،دولومیتهای متوسط بلور نیمه شکل دار ،دولومیتهای متوسط تا درشت بلور بی شکل(زین اسبی) و دولومیتهای درشت بلور پرکننده حفرات می باشد.مطالعه بر روی نحوه دولومیتی شدن فراگیر ،حاکی از آن است که نهشت دولومیت طی یک مرحله صورت نگرفته و در زمان طولانی روی داده است....

در این مقاله تاثیر ضخامت و مقدار ضریب شکست مؤثر نقص بر روی سرعت نور در بلور فوتونیک یک بعدی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان می هد افزایش ضریب شکست، تعداد نقص ها و ضخامت آن منجر به کاهش سرعت نور در بلور می شود. با بهره گیری از نتایج به دست آمده روش نوینی برای کوک پذیری بلور فوتونیکی مطرح شده است