چکیده ندارد.

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ mems که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از ت...

این پژوهش به بررسی سازوکار ضربه با بهره گیری از ویژگی انقباض سریع یک سیم آلیاژ حافظه دار به عنوان یک محرکه جدید می پردازد. در این مقاله یک محرکه نمونه، شامل بدنه اصلی، بدنه اینرسی، یک سیم آلیاژ حافظه دار و یک فنر بایاس، طراحی و ساخته شده است. به منظور بررسی کاربرد این محرکه به عنوان دستگاه موقعیت دهی، آزمایش هایی تحت شرایط مختلف روی آن انجام شده است. نتایج آزمایشات نشان می دهد که این محرکه قادر...

چکیده در مقاله حاضر میزان دقت روشهای مختلف درونیابی فضایی مورد ارزیابی قرار گرفته اند. به عنوان نمونه روشهای مختلف درونیابی تین ، معکوس وزنی فاصله، اسپلاین و انواع کریجینگ انتخاب گردیده است. با استفاده از این روشها به درونیابی داده های بارندگی حوضه آبریز کشف رود پرداخته شده است. براساس نتایج به دست آمده از اجرای این مدلها میزان دقت این روشها با استفاده از روشهای آماری با هم مقایسه شده اند. بر...

هنگامی که قطعات الکترونیکی در معرض تابش نوترون قرار می گیرند بر اثر اندرکنش های نوترون در این قطعات، مشخصات الکتریکی آنها مانند ظرفیت خازنی، جریان بایاس معکوس، طول عمر حامل اقلیت و غیره ... تغییر می کنند. این تغییرات بسیار مهم است تا آنجا که ممکن است عملکرد قطعه را مختل کرده و آن را از کار بیندازد. بنابراین اندازه گیری میزان آسیب ناشی از نوترون در این قطعات بسیار ضروری است. یکی از مهم ترین پارا...

در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

امروزه نیاز به شیفت دهنده های فازی وجود دارد که بتوانند توان های بالا را تحمل کنند و در عین حال قابلیت تغییر فاز زیاد را در فرکانس دلخواه داشته باشند. شیفت دهنده های مبتنی بر دیود varactor و mems نمی توانند توان های بالا را تحمل کنند. شیفت دهنده های مبتنی بر ferroelectric می توانند توان های بالا را تحمل کنند اما در این نوع شیفت دهنده های فاز نیاز به ولتاژهای خیلی زیاد (بالای 100 v ) برای تغییر ...

در این پایان نامه، به بررسی و طراحی مدارهای بخش تامین توان در کاربردهایی که توان به صورت بی سیم فراهم می شود، در فناوری 0.18 میکرومتر cmos پرداخته شده است. این بخش از چهار بلوک مداری اصلی شامل محدود کننده، یکسوساز ولتاژ، مرجع ولتاژ و جریان و تنظیم کننده ی ولتاژ تشکیل شده است. یک محدود کننده ی کاملا متقارن برای کاهش ولتاژهای زیاد در دو سر آنتن پیشنهاد شده است، که از افزایش بیش از حد سیگنال ورودی...

در این پژوهش دو تقویت کننده کم نویز موج میلیمتری در محدوده های فرکانسی ghz40-30 و ghz31- 26 طراحی شد. هر دوی این تقویت کننده ها دارای دو طبقه با ساختار آبشاری به منظور دست یابی به بهره توان و ایزولاسیون معکوس مناسب می باشد. همچنین در این طراحی از یک فیلتر فاق به منظور صاف کردن بهره توان و سلف های اضافی به منظور حذف خازن های پارازیتی در پهنای باند مورد نظر استفاده شده است. در این پایان نامه از ...