چکیده یک مدار منطقی ترکیبی، یک شبکه سخت افزاری است که بر مبنای گیت های منطقی طراحی می شود و نیازهای توابع منطقی را برآورده می سازد. برای افزایش کارایی و کاهش هزینه مصرفی در تولید، معیارهای بهینه سازی مانند تعداد گیت و ترانزیستورهای مصرفی در نظر گرفته می شود. روش های مختلفی در این زمینه برای پیدا کردن نقاط کمینه در نظر گرفته شده است، که معروف ترین روش های بهینه سازی روش جدول کارنو و الگوریتم ...

اخیراً پردازش سیگنال تمام نوری با سرعت زیاد توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. این امر برای غلبه بر محدودیت های پردازش سیگنال الکتریکی است. در حوزه مدارهای منطقی تمام نوری تحقیقات زیادی انجام شده و گیت های بولین نوری متعددی هم طراحی گردیده است. از میان طراحی های انجام شده گیت های منطقی که بر اساس soa طراحی و ساخته شده اند، بر سایر طراحی ها برتری دارند زیرا زمان تأخیر در پردازش آن ها کوتاه، سطح...

طراحی فیزیکی یکی از دو مرحله اصلی طراحی مدارهای کوانتومی است که نت لیست مدار را به عنوان ورودی دریافت کرده و چینش نهایی در یک تکنولوژی خاص را تولید می کند. به دلیل مشخصات مناسب تله یونی، در این پایان نامه این تکنولوژی به عنوان تکنولوژی هدف انتخاب شده است. روش هایی که تاکنون برای ایجاد چینش در تکنولوژی تله یونی ارائه شده اند محدود به قرار گرفتن حداکثر سه کیوبیت در یک مکان گیت می شوند در صورتی که...

چشم انداز برنامه‏ نویسی سیستم‏ های مولکولی برای اجرای عملیات و قدرت پردازش موازی مولکول‏ های دی.ان.ای، محققان را به سوی طراحی مدارهای بیوشیمیایی ترکیبی جذب کرده است. از آنجاکه ساخت رایانه‏ ای با قدرت پردازش موازی خواسته‏ ی این تکنولوژی بوده است، رایانه مولکولی نقطه عطفی در این مسیر محسوب می‏ گردد. در این تحقیق ابتدا یکی از پیشرفته‏ ترین مدل ‏های موجود، تشریح شده است. سپس، با استفاده از این مدل ...

پژوهش حاضر با هدف شناسایی انگیزه ها و تعاملات اطلاعاتی دانشمندان در شبک? اجتماعی تخصصی ریسرچ گیت صورت گرفته است. این پژوهش با رویکردی ترکیبی (کمی و کیفی) انجام شد. جامع? این پژوهش تمامی کاربران شبک? ریسرچ گیت هستند و نمون? آن به دو بخش تقسیم شد. نمون? بخش کمی تعداد 1200 نفر (برای پروفایل های کاربران) و بخش کیفی تعداد 30 نفر (برای مصاحبه) تعیین گردید. مصاحبه ها به دو صورت، حضوری برای کاربران ایر...

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

سنجش کیفیت خدمات پیش شرط اساسی بهبود خدمات است. از این رو پژوهش حاضر به منظور تحلیل شکاف کیفیت خدمات اینترنتی شرکت ایران گیت و تاثیر آن بر وفاداری مشتریان این شرکت انجام گرفته است. در این پژوهش، شکاف کیفیت خدمات اینترنتی ارائه شده توسط شرکت ایران گیت با استفاده از ابزار وب کوال تحلیل شده است. در این راستا چهار فرضیه تعریف شد و به بررسی شکاف کیفیت خدمات در هر یک از ابعاد مدل وب کوال که شامل قا...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...