در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های cmos مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال، تابع ...

در این پایان نامه شکست کانال و مسائل مرتبط با آن در ترانزیستور ماس فت ‏‎mosfet‎‏ با روش های تحلیلی ، تجربی مدلسازی وشبیه سازی شده است . کاهش طول کانال باعث می شود که جریان در ین تنها محدود به جریان گذرنده از کانال نشود ، بنابراین ابتدا به مدلسازی جریان درین پرداخته شده است و سپس با ارائه مدل تحلیلی - تجربی شکست ‏‎pbt‎‏ در ماس فت بررسی و اثرات تغییر ولتاژ گیت ، دما ، طول کانال و غلظت پایه برآن ش...

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن ...

استفاده از حافظه‏ها به عنوان بخشی اساسی از سیستم‏های مدارات مجتمع اجتناب ناپذیر است اما تأثیرات تشعشعات فضایی و تأثیرات الکترومغناطیسی بر این سیستم غیر‏قابل چشم‏پوشی است. در یک دسته‏بندی کلی تأثیر تشعشعات را می‏توان به دو دسته تقسیم کرد: دسته اول ناشی از برخورد ذرات مانند الکترون هاست که اثرات فرسایشی بر روی این مدارات دارد و در اصطلاح به آن اثرات یونیز کننده جمع شونده (total ionizing dose) می‏...

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

در این پایان نامه بلوک مبدل dc-dc برای تگ پسیو rfid طراحی شده است. مبدل dc-dc پیشنهادی، دارای نسبت تبدیل ولتاژ بالا و سطح تراشه کوچکی می باشد. مدار پمپ شارژ با گیت کنترل شونده نوعی مبدل dc-dc است که در هر طبقه شامل یک سوئیچ انتقال شارژ nmos می باشد. برای کنترل دینامیکی ورودی سوئیچ انتقال شارژ از دو ترانزیستور nmos و pmos استفاده می شود. در حالت پایدار ترانزیستورهای سوئیچ انتقال شارژ در ناحیه زی...

عمل جذر یکی از مهمترین عملیات محاسباتی در کامپیوتر رقمی است . در پردازنده های جدید لازم است این عمل به صورت سخت افزاری پیاده سازی شود. آزمون پذیری و قابلیت گسترش دو مساله عمده در طراحی مدارهای محاسباتی vlsi است . در این پایان نامه دو طراحی برای پیاده سازی عمل جذر با روش غیر بازیافتی با قابلیت گسترش ارائه شده است . در طرح اول با استفاده از تنها یک بلوک و در طرح دوم با کمک دو بلوک مدار جذر گیرنده...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...