نتایج جستجو برای: گالیم آرسنید

تعداد نتایج: 181  

آریندخت وکیلی امیررضا جلیلیان سعید رجبی فر, سونا نظری فاطمه بلوری نوین,

هدف از انجام این تحقیق، بررسی عوامل مؤثر بر تهیه‌ی کمپلکس Ga-oxine67 برای مقاصد نشان‌دارسازی گلبول‌های سفید خون می‌باشد. Ga67 تولید شده در سیکلوترون (MeV30) پژوهشکده تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی کرج از طریق بمباران پروتونی هدف روی غنی شده و با استفاده از واکنش Ga67 (n2p,)Zn68 به شکل 3GaCl67 در شرایط بهینه برای تهیه‌ی کمپلکس Ga-...

ژورنال: :علوم و فناوری فضایی 0
ابوالفضل اسماعیلیان سید امیرحسین فقهی حمید جعفری علی پهلوان

محیط فضایی به علت وجود گستره وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی هایی را در کارکرد صحیح سیستم های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم ها یا در مرحله ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک های مقاوم سازی در برابر اثرات تابشی صورت می گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینه ساز و کار آسیب در این سیستم هاس...

ژورنال: :مهندسی مکانیک و ارتعاشات 0
حسن خالقی دانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2018

در این مقاله ساختار الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور GaAs در فاز بِلِندروی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافتۀ خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با تقریب‌های مختلف و استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام شده است. در این روش، برای محاسبۀ پتانسیل تبادل‌ـ‌همبستگی از تقریب‌های LDA و شیب تعمیم‌یافته استفاده شده است. نتایج بیانگر آن است که خصوصیات الکترونی و ساختاریِ م...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی شهرکرد 0
زهرا زابلی زاده zahra zaboli zade

درطی دهه اخیر کاربرد لیزر در پزشکی به ابزاری موثر در درمان تبدیل شده و از لیزرهای کم توان در درمان آسیب های بافت نرم، درد، آرتریت، ترمیم زخم و غیره بطور گسترده ای استفاده می شود. تاثیر لیزرهای کم توان در درمان به علت اثر فتوشیمیایی آن بر مولکول های بیولوژیکی است. از آنجایی که جنبه های غیر گرمایی اثر این پرتوها نیز مطرح می باشد، لذا هدف از این مطالعه بررسی اثر لیزرهای کم توان بر روی عملکرد عصب م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1393

در این تحقیق ویژگی های ساختاری، الکترونی و دینامیکی ترکیب گالیم بیسموت در فاز پایدار بلندروی و دو فاز احتمالی بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی کوآنتوم اسپرسو انجام شده است. شبه پتانسیل های مورد استفاده با شرایط بار¬پایسته و فوق نرم ساخته شده اند و تابعی تبادلی- همبستگی آن ها از نوع lda و gga می¬باشد. محاسبات نسبیتی ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی مکانیک 1391

در این پروژه رفتارهای آلیاژ حافظه دار فرومغناطیسی نیکل- منگنز-گالیم به صورت تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور دو تجهیز جانبی (تجهیز اعمال میدان مغناطیسی ثابت و تجهیز اعمال تنش فشاری ثابت) طراحی و ساخته شده است. نمونه تک کریستال نیکل- منگنز-گالیم با ساختار 5m تحت بارگذاری های شبه استاتیکی قرار گرفت. یک دسته از آزمایش هایی که انجام شده است، به منظور بررسی رفتار تنش-کرنش آلیاژ در مید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1392

نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1381

در پیوند ناهمگون ‏‎algaas/gaas‎‏ ، بدلیل متفاوت بودن مواد تشکیل دهنده پیوند ، در مرز پیوند رفتاری کاملا متفاوت ، نسبت به ساختار همگون بوجود می آید. در مرز پیوند بدلیل عدم تقارن در رشد جانبی در جهات مختلف کریستالی ، نوسانات مرزی در حد یک لایه اتمی بوجود می آید. بدلیل وجود تفاوت در گاف انرژی ‏‎algaas‎‏ و‏‎gaas‎‏، در مرز پیوند و در ناحیه ‏‎gaas‎‏ چاه پتانسیل مثلثی شکل بسیار نازک به ضخامت حدودا ‏‎2...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1394

در این پژوهش به طراحی و شبیه سازی سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیوم آرسناید و بررسی پارامترهای موثر در تعیین عملکرد سلول خورشیدی پرداخته شده است و بازدهی سلولهای خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید و cigs با توجه به تغییر ضخامت و تراکم ناخالصی لایه‎ها و همچنین اثرات بازتاب سطحی مورد بررسی قرار گرفته است. با بهینه‎سازی ضخامت لایه پنجره و تراکم ناخالصی ها، بازده بهینه حاصل می گردد در بخش نهایی، روشی اب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید