نتایج جستجو برای: گاف نوار
تعداد نتایج: 4151 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...
بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...
در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو لوله های نیترید بور، پرداخته ایم. که در ذیل به طور مختصر به نتایج بدست آمده می پردازیم. - نانو لوله های تک دیواره در نانو لوله ها (0, 6) ، (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) مشاهده شد که با افزایش قطر نانو لوله ها، گاف انرژی نیز بزرگتر شد و در نانو لوله هایی با قطر بیشتر این تغییر گاف کمتر مشاهده شد. که علت آن کم شدن خمش نانو لوله است. - نان...
با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...
چکیده ندارد.
گرافین به عنوان نازک ترین ماده دوبعدی خواص منحصر به فردی از خود نشان می دهد. استحکام مکانیکی و رسانندگی حرارتی قابل مقایسه با الماس، اثر هال کوانتومی و عدم وجود جایگزیدگی از جمله خواص منحصر به فرد آن است . حامل های بار در گرافین مانند فرمیون های بدون جرم رفتار کرده و از معادله دیراک پیروی می کنند. به همین دلیل حرکت حامل ها در گرافین صد برابر سریع تر از حرکت حامل ها در سیلیکون است. همین ویژگی با...
در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسانگرد یک بعدی با بهرهگیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسانگرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسانگرد ایجاد میشود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسانگرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسانگرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...
در رساله حاضر محاسبات ابتدا به ساکن برای تهی جاهای اکسیژن در انبوهه دی اکسید تیتانیوم با استفاده از روشهای بهبود گاف انرژی نظیر gga+u، تقریب بس ذره ای gwو تئابع هیبریدی انجام گرفته است. نتایج حاصل از بکارگیری تقریب gga+uگرچه تاحدی گاف و جایگزیدگی ترازهای تیتانیوم را بهبود می بخشد ولی قادر به توصیف مناسب از ترازهای منتج از حضور تهی جاهای اکسیژن در داخل گاف نیست و آنها را به نوار هدایت منتقل می ک...
در این پایان¬نامه، ساختار نواری بلورهای فونونی دو و سه بعدی، با استفاده از روش بسط موج تخت و تفاضل محدود در حوزه زمان، مورد محاسبه و مطالعه قرار می¬گیرد. به¬دلیل اهمیت عامل ساختار در روش بسط موج تخت، ابتدا رابطه تعمیم یافته آن را برای میله¬هایی با سطح مقطع چند ضلعی منظم محاسبه و سپس با استفاده از آن، ساختار نواری بلورهای فونونی دوبعدی با شبکه مربعی را برای میله¬های نیکل با سطح مقطع چند ضلعی منظ...
در این پایان نامه خواص ساختاری، ساختار الکترونی و خواص اپتیکی ترکیب مونوفریب استرانسیوم مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و تقریب هایgga ، lsda، gga+u، pbe0و mbj با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام گرفته است. ثابت های شبکه ی مورد استفاده در این محاسبات برابر با a=15.66(bohr) , b=17.61(bohr), c...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید