نتایج جستجو برای: گاف باند فوتونیکی

تعداد نتایج: 7116  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1391

استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیشبینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 10 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده شکست نور را از بین می بود. با توجه به این محدودیت امکان د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1392

سلول های خورشیدی با صفحه نازک cdte (کادمیم تلوراید)، یکی از قابل رقابت ترین قطعات فتوولتائیک هستند که از نظر هزینه و ضریب عملکرد مورد توجه هستند. کادمیم تلوراید ضریب جذب نور بسیار بالایی دارد. فقط مقدار کمی از کادمیم تلوراید (ضخامت 2-8 میکرون) برای لایه جذب کننده (100مرتبه نازک تر از سلول خورشیدی معمولی کریستالی سیلیکونی) مورد نیاز است. علاوه بر این، گاف باند کادمیم تلوراید به خوبی با طیف خورشی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1392

در این با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری و الکترونی صفحه نیترید بور که هیدروژن دار ( فلوئوردار) شده را بررسی کردیم. محاسبات انرژی کل و ساختار باند الکترونی با کمک اصول اولیه و روش امواج تخت بهبودیافته خطی در مدل پتانسیل کامل و کد wien2k انجام شد. از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، برای بسط جمله پتانسیل تبادلی همبستگی استفاده شده است. ساختار بهینه شده نشان داد که پیوندهای bh,nh...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
شهروز نصیریان sh nasirian university of mazandaranدانشگاه مازندران حسین میلانی مقدم h milani moghaddam university of mazandaranدانشگاه مازندران

نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله...

در این مقاله، در ابتدا، یک ساختار نواری یک بلور فونونی دو- بعدی با شبکۀ مربعی مشتمل ‌بر استوانه‌­های پلی­‌متیل متاکریلیت در ماده زمینۀ هوا در نظر گرفته شد. با احتساب گاف نواری این ساختار، شبیه­‌سازی موج‌بر صدا انجام شد. نتیجۀ مورد انتظار نیز مشاهده گردید، سپس، یک ساختار دیگر با شبکۀ شش‌گوشه مشتمل ‌بر استوانه­‌های آلومینیومی در مادۀ زمینه تنگستن مورد بررسی قرار گرفت. و با استفاده از روش محاسباتی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایه 1389

در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار ...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 2013
حمداله صالحی زهره جاودانی حجت الله باده یان

در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4  بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1391

روش های مختلفی برای به دست آوردن ساختار باند بلورهای فوتونی وجود دارد که در فصل اول به روش هایی مانند ماتریس انتقال، روش بسط بر حسب امواج تخت و روش تفاضلات متناهی حوزه ی زمان (fdtd) اشاره کرده ایم و در فصل دوم، روش محاسبه ی گاف باندهای یک بلور فوتونی را با استفاده از روش ضرایب فرنل به طور مفصل شرح داده ایم و سپس در فصل سوم، نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال مقایسه نموده ایم.

در این مقاله ساختار تعادلی، خواص الاستیکی و مغناطیسی دو آلیاژ  و  با استفاده از نظریه تابعیت چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از روش پتانسیل کامل از طریق نرم افزار Wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برهمکنش کولنی درون جایگاهی در قالب روش GGA+U مورد استفاده قرار گرفته تا تأثیرات همبستگی ساختار الکترونی منظور گردد. تغییرات گاف نواری، یا در واقع همان گاف اسپینی با ثابت شبکه در ترکی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید