در تحقیق حاضر رفتار خزش فروروندگی آلیاژهای mg-si (mg-0.5si,mg-0.8si.mg-1.23si) در محدوده دمایی 125 تا 218 درجه سانتیگراد و تحت تنش های نرماله 0/007 تا 0/018 مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین عنصر بیسموت برای اصلاح ترکیب mg2si حاصل به مقدار 0/4% به تمامی آلیاژها اضافه شد. بررسی های صورت گرفته نشان می دهدکه با اضافه شدن درصد سیلیسیم در آلیاژهای مورد مطالعه mg-si نرخ های خزش حالت پایدار کاهش یافته...

چکیده با پیشرفت صنعت در زمینه تولید آلیاژهای مهندسی، نیاز به آلیاژهای مقاوم به سایش چدنی در تجهیزات مقاوم به سایش روز به روز بیشتر می گردد. هر دسته از چدن های مقاوم به سایش، دارای خواص مکانیکی مشخصی با گستره ای از مقادیر مختلف عناصر آلیاژی هستند. با افزایش روز به روز قیمت جهانی عناصر آلیاژی در سال های اخیر و هزینه های مضاعف عملیات حرارتی ضروری برای انواع آلیاژهای مقاوم به سایش، تولید بسیاری ا...

در این پژوهش، اثر زمان آستنیته کردن بر تغییرات ریزساختاری در حین عملیات حرارتی دوفازی سازی در چدن­های نشکن آلومینیوم­دار بررسی گردیده است. بدین منظور نمونه­های چدن نشکن تهیه شده پس از انجام عملیات آنیل فریتی، به مدت 10دقیقه در کوره اتمسفر هوا در دمایc° 600 پیشگرم و سریعاً به محیط آلومینیوم با دو دمای c°920 و c°950 منتقل و از زمان 1 دقیقه تا 15 دقیقه آستنیته و سپس در روغن با دمای c°25 کوئنچ شدند....

کاربید سیلیسیم نانوساختار به علت خاصیت فوق پلاستیکی دما بالا و سختی و استحکام مناسب کاربردهای گسترده ای در صنایع گوناگون دارد. وجود پیوند کووالانسی بین اتم های سیلیسیم و کربن و ضریب نفوذ در خود پایین این ماده سبب شده است تا سینتر این سرامیک نیازمند دما و فشار بالا باشد. استفاده از کمک سینترها به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش دما و فشار مورد استفاده در سینتر کاربید سیلیسیم مورد توجه بسیاری از د...

در این تحقیق تاثیر تیتانیم و وانادیم در چدنهای نشکن آستمپر بر ریز ساختار، مقاومت خوردگی در سه محیط آب دریا، اسید سولفوریک 5% حجمی و اسید استیک 5% حجمی و رفتار سایشی مورد بررسی قرار گرفته است. سه نوع چدن نشکن آستمپر، اولی شامل تیتانیم، دومی حاوی وانادیم، و سومی معمولی تهیه شد. نمونه های هر گروه تحت عملیات حرارتی ستنیته کردن در دمای ‏‎900c‎‏ و زمان یک ساعت و آستمپر کردن در دمای ‏‎350c‎‏ در مدت یک...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

به‌منظور بررسی تاثیر محلول‌پاشی سیلیسیم بر عملکرد و توزیع مجدد ماده خشک گندم در شرایط تنش خشکی، پژوهشی مزرعه‌ای در سال زراعی 95-1394 به‌صورت کرت‌های خردشده در قالب طرح پایه بلوک‌های کامل تصادفی در چهار تکرار در دانشگاه علوم کشاورزی و منابع طبیعی رامین خوزستان اجرا گردید. تیمار تنش خشکی شامل سه سطح آبیاری نرمال (بدون قطع آبیاری یا شاهد)، تنش خشکی از زمان ساقه‌روی تا گل‌دهی و تنش خشکی از گل‌دهی ت...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...