فریت های هگزاگونال نوع m با فرمول عمومی mfe12o19 که در آن m=ba,sr,pb می باشد، جزء مواد مغناطیسی دائمی هستند. این فریت ها به دلیل خواص جالب از قبیل مغناطش اشباع، ناهمسانگردی تک محوری و وادارندگی مغناطیسی بالا بسیار مورد توجه می باشند. هگزافریت سرب به دلیل داشتن دمای بلوری شدن پایین تر نسبت به دو نمونه ی مشابه خود، بسیار مورد توجه واقع شده است. در این پایان نامه، پس از ساخت نانوذرات هگزافریت سرب ...

در این تحقیق نانوذرات مغناطیسی هیدروکسی آپاتیت به روش هم رسوبی ساخته شدند. نانوذرات ساخته شده با استفاده از دستگاه های الگوی پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریۀ مادون قرمز (ft-ir) و مغناطیس سنج نمونۀ ارتعاشی (vsm) مشخصه یابی شدند. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها ساختار هگزاگونال هیدروکسی آپاتیت و تتراگونال مگمایت را تأیید کرد. نتایج میکر...

هگزافریت باریم به دلیل وادارندگی مغناطیسی، مقاومت به خوردگی، سختی مکانیکی و پایداری شیمیایی بالا، بعنوان ماده ای مناسب جهت استفاده در ساخت آهنربای دائمی و محیطهای ذخیره اطلاعات مطرح می باشد. در تحقیق حاضر ذرات بلوری هگزافریت باریم در حد نانومتر در دمای نسبتا پائین حدود 700درجه سانتیگراد به روش سل-ژل احتراقی و با استفاده از ژل اولیه شامل اسیدسیتریک بعنوان احیا کننده(سوخت) و نیتراتهای فلزی بعنوان...

در این پژوهش، آلیاژ مغناطیسی نرم ni0.8fe0.2به روش آلیاژسازی مکانیکی تولید شده است. تأثیر پارامترهای اندازه ی گلوله، سرعت آسیا و زمان آسیا برای ساخت این آلیاژ مورد بررسی قرار گرفت. به منظور بررسی خواص مغناطیسی و دی الکتریکی ناشی از آلایش آلیاژ ni0.8fe0.2 با عنصر کبالت، ترکیب (8/0-0=x) ni0.8-xcoxfe0.2ساخته شد. سرانجام، نتایج حاصل از آنالیزهای الگوی پراش اشعه ی ایکس (xrd)، تصویرهای sem، حلقه های پ...

هگزافریت استرانسیم (srfe12o19)، از مواد سخت مغناطیسی است. این مواد به دلیل قیمت پایین، وادارندگی نسبتاً زیاد، مقاومت در مقابل خوردگی و پایداری شیمیایی بطور گسترده به عنوان آهنربای پایدار استفاده می شود. در سلول اولیه هگزافریت استرانسیم 64 یون در 11 مکان تقارنی متفاوت وجود دارد. 24 یون fe3+ در پنج نقطه جداگانه توزیع شده اند، سه مکان هشت وجهی (a 2، k12 و 2f4)، یک مکان چهار وجهی (1f4) و یک مکان دو...

نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار...

در این تحقیق پوششی طراحی شده که بتواند امواج مایکرویو در محدوده ی فرکانسی باند x (4/12 تا 2/8 گیگاهرتز) را به مقدار قابل قبولی جذب کند. این طراحی شامل تعیین دقیق ترکیب شیمیایی پوشش، روش سنتز و شرایط بهینه ی سنتز ماده ی پوشش، خواص مغناطیسی پوشش، مورفولوژی ذرات پوشش داده شده، ضخامت و همچنین پایه ی پوشش است. در طول مراحل مختلف طرح که در 3 فاز انجام گرفته است این پارامترها بررسی و بهینه شده است. ...

نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن به دلیل کاربردهای فراوان در پزشکی مانند انتقال دارو، تشخیص و درمان و بیوتکنولوژی توجه محققان زیادی را به خود جلب کرده است. در این پروژه ما نانوذرات فریت منگنز با ساختار اسپینلی را با استفاده از روش هم-رسوبی سنتز کردیم که نتایج به دست آمده از xrd و ftir آن را تایید می¬کنند. سپس اثر رفتار حرارتی را روی ساختار آن مورد بررسی قرار دادیم و با توجه به پیک¬های موجود در نتایج...

هدف اصلی در این پایان نامه ساخت نانوذرات فریت نیکل-کبالت به روش سل ژل خود احتراقی، و همچنین بررسی اثرات افزودن مقادیر مختلف یون آلومینیوم غیر مغناطیس، بر روی خواص ساختاری و مغناطیسی نانوذرات تهیه شده می باشد. بررسی و مطالعه روش های مختلف تهیه نانوذرات، نشان می دهد که روش سل ژل خوداحتراقی، به دلیل تولید محصولی همگن با درجه ی خلوص بالا و پایین بودن نسبی دما و زمان تکلیس آن، از بهترین روش های تهیه...

نانولوله ها و نانوسیم های کبالت به وسیله انباشت الکتریکی جریان مستقیم به کمک قالب های آلومینای متخلخل تولید شدند. قالب اکسید آلومینیوم متخلخل به وسیله آندایزینگ دو مرحله ای بر روی فویل های آلومینیوم با خلوص92/99 تهیه شدند. به منظور دستیابی به نظم بلندبرد و کاهش مرزدانه های فویل آلومینیوم، عملیات حرارتی بر روی فویل در دمای ??500 و به مدت 5/3 ساعت انجام شد. پولیش الکتروشیمیایی فویل با هدف رسیدن ب...